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Sicherungsstruktur mit einem Halbleitersubstrat mit einem darauf ausgebildeten Chip, einem Kerbenbereich (13) und einem leitfähigen Verbindungsglied (54), das eine Verbindung zwischen dem Chip und dem Kerbenbereich (13) bildet. Alternativ verbindet das Verbindungsglied (54) eine den Chip umgebende Randversiegelung (26) und einen Chipabschnitt. Ein Verfahren zur Ausbildung eines Bauelements auf einem Chip, die Festlegung einer Kerbe (13) in der Nähe des Chips und die Ausbildung eines leitfähigen Verbindungsglieds (54), das das Bauelement und die Kerbe (13) verbindet. Ein Ende (56) des leitfähigen Verbindungsglieds (54) wird durch Sägen, Ätzen oder Zerkleinern mit einem fokussierten Ionenstrahl entfernt. Ein Verfahren zur Ausbildung einer Halbleiterstruktur umfasst die Ausbildung eines Chips auf einem Halbleitersubstrat, wobei der Chip ein Bauelement aufweist, die Ausbildung einer Randversiegelung (26) entlang eines äußeren Umfangs des Chips und die Ausbildung eines leitfähigen Verbindungsglieds (54), das die Randversiegelung (26) und das Bauelement verbindet. Ein Abschnitt (56) des leitfähigen Verbindungsglieds wird durch Ätzen oder Zerkleinern mit einem fokussierten Ionenstrahl entfernt.
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