| 发明名称 | 减少硅衬底与外延Si或Si<SUB>1-x</SUB>Gex层之间硼浓度的方法 | ||
| 摘要 | 为了减少硅衬底与在CVD(化学汽相淀积)装置中外延生长的Si或Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>层之间的硼浓度，在装入CVD设备之前，预处理衬底，以防止衬底受净化间内的硼的沾污。而且，根据一个实施例，在衬底装入生长室之前，用F<SUB>2</SUB>气体在预定的衬底温度下清洁CVD生长室本身，由此去除残留在生长室中的硼。 | ||
| 申请公布号 | CN1113391C | 申请公布日期 | 2003.07.02 |
| 申请号 | CN97119898.5 | 申请日期 | 1997.12.06 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 铃木达也;青山亨 |
| 分类号 | H01L21/20;C23C16/02;H01L21/205;H01L21/304;H01L21/306 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 傅康;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种减少硅衬底与在CVD(化学汽相淀积)装置中外延生长的Si或Si1-xGex层之间的硼浓度的方法，包括下面步骤：(a)用含有多种化学物质的溶液清洗衬底，每种化学物质中硼的浓度小于50ppt，在衬底装入CVD设备之前进行所述清洗；及(b)于衬底装入CVD设备之前，在步骤(a)的无硼隔绝环境中处理衬底。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||