各向异性干腐蚀方法

摘要

在相对于氧化硅膜、多晶硅膜和硅膜有选择地各向异性地干腐蚀氮化硅膜的方法中，衬底温度被设置在10℃或更低，并且包含氟、碳和氢的复合气体与一氧化碳(CO)相混合的气体被用做反应气体。借助于这种方法，有可能相对于氧化硅膜、多晶硅膜和硅膜的任意一种有选择地各向异性地干腐蚀氮化硅膜。

主权项

1.各向异性干腐蚀方法，包括相对于氧化硅膜、多晶硅膜和硅膜有选择地各向异性地干腐蚀氮化硅膜的步骤，所述腐蚀是在这样的条件下进行的，即衬底温度是10℃或更低，并且包含氟、碳和氢的复合气体与一氧化碳相混合的气体被用做反应气体，一氧化碳气体与反应气体总气体流量混合的体积百分比是70到95。