| 主权项 |
1.一种制造包括具有位在一隐藏绝缘层上之矽晶圆单晶上层中形成的半导体区域之半导体元件之半导体装置的方法,在该方法中实施第一系列的制程步骤,尤其是将该晶圆加热至700℃以上之温度之制程步骤,然后在该上层中形成渠沟,其延伸远至该隐藏的绝缘层并且不交连至pn接合处,接着以一绝缘材料填充该渠沟,然后实施第二系列制程步骤,其中完成该半导体装置,在第二系列制程步骤中,该晶圆不超过400℃的温度,其特征为利用一沉积方法以一绝缘材料填充该渠沟,其中该晶圆加热温度不高于500℃。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征为藉由在该渠沟中及其邻接区域中沉积一层合成树脂于晶圆上而填充该渠沟,然后在该层中形成一窗口,以接触位于做为与位该层下方的半导体元件。3.如申请专利范围第2项之方法,其特征为该沉积于渠沟中及邻近渠沟之合成树脂层是一层苯并环丁烯。4.如申请专利范围第1项之方法,其特征为藉由在渠沟中及其邻接区域中沉积来自矽及含氧成份蒸气所产生之电浆的一矽氧化物层于晶圆上而填充该渠沟。5.如申请专利范围第4项之方法,其特征为该矽氧化物沉积层系藉由化学机械研磨方法加以平坦化。6.如申请专利范围第5项之方法,其特征为,除了半导体元件外,被动元件系提供于该矽氧化物层上,并且,在该被动元件的位置上,于该矽氧化物沉积之前,在该渠沟形成的制程步骤中,露出该绝缘隐藏层。图式简单说明:图1至图10是使用根据本发明之方法制造一包含一双载子电晶体的半导体装置之第一例子的一些阶段的图式,横截面。图11至图13是使用根据本发明的方法制造一包含一双载子电晶体的半导体装置之第二例子的一些阶段之图式,横截面,及图14至图20是使用根据本发明的方法制造一包含MOS电晶体之半导体装置的一些阶段之图式,横截面。 |
