Verfahren zur Herstellung eines vergrabenen Streifens durch Diffusion mittels Gasphasendotierung

摘要

Ein Verfahren zum gleichzeitigen Ausbilden eines vergrabenen Streifens umfasst der Reihe nach die folgenden Schritte. Ein Substrat mit einer darauf gebildeten Zwischenoxidschicht wird bereitgestellt. Eine Maskenschicht wird über der Zwischenoxidschicht gebildet. Die Maskenschicht, die Zwischenoxidschicht und das Substrat werden geätzt, um einen Graben in dem Substrat zu bilden. Der Graben besitzt eine äußere Seitenwand und einen oberen Bereich. Der obere Bereich des Grabens ist mit einem Rand beschichtet. Eine Poly-Platte wird in dem Graben gebildet. Die Poly-Platte und der Rand werden bis unter das Substrat geätzt, um eine vertiefte Poly-Platte und einen vertieften Rand zu bilden, wodurch ein Teil der äußeren Seitenwand des Grabens freigelegt wird. Ionen werden in das Substrat durch die freigelegte äußere Seitenwand des Grabens mittels Gasphasendotierung eingebracht. Eine SiN-Seitenwandschicht wird über der freigelegten äußeren Seitenwand des Grabens bei einer Temperatur gebildet, die ausreichend ist, um die eingebrachten Ionen weiter in das Substrat einzudiffundieren, um den vergrabenen Streifen zu bilden.