| 发明名称 | 改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法 | ||
| 摘要 | 一种连续处理一系列半导体基底的装置和方法，其具有在用含氟气体清洗和/或风干该离子体蚀刻室后的等离子体蚀刻速率的改变最小。该方法包括步骤(a)将半导体基底放在等离子体蚀刻室内的基底支撑上，(b)保持该室内的真空，(c)通过向该室供给蚀刻气体和激发该蚀刻气体以在该室中形成等离子体，对基底的暴露表面进行蚀刻，(d)从该室取出基底；和(e)重复步骤(a－d)，连续蚀刻该室内另外的基底，该蚀刻步骤是采用使围绕在基底碳化硅边缘环上的H和Br的再结合速率最小化到足以补偿穿过基底消耗Br的速率而完成的。这种方法可用纯HBr或HBr与其它气体的结合来完成。 | ||
| 申请公布号 | CN1426597A | 申请公布日期 | 2003.06.25 |
| 申请号 | CN01808503.2 | 申请日期 | 2001.03.16 |
| 申请人 | 兰姆研究公司 | 发明人 | 倪图强;竹下健二;崔善焕;林云;章文莉 |
| 分类号 | H01L21/3213;H01J37/32 | 主分类号 | H01L21/3213 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 邓毅 |
| 主权项 | 1、一种连续处理各个半导体基底的方法，使其在用含氟气体清洗和/或风干该等离子体蚀刻室后等离子体蚀刻速率改变最小，该方法包括步骤：(a)将半导体基底放置在等离子体蚀刻室中的基底支撑上；(b)保持该室真空；(c)通过向该室供给含HBr的蚀刻气体和激发该蚀刻气体，以在该室中形成等离子体，对基底的暴露多晶硅表面进行蚀刻，(d)从该室取出基底；和(e)重复步骤(a-d)，连续蚀刻该室内另外的基底，完成该蚀刻步骤采用的方法是，使在围绕基底的部件上的H和Br的再结合速率最小化至足以补偿穿过基底消耗Br的速率。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||