低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法

摘要

一种低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法，其特征在于它是采用电阻加热的液相外延炉，将高温相的偏硼酸钡(α－BBO)单晶衬底作为大面积的籽晶，在β－BBO单晶的结晶温度下(低于相变温度925℃)，在高速旋转的α－BBO单晶衬底与BBO多晶料的饱和溶液接触过程中生长一层β－BBO单晶薄膜。本方法可以在α－BBO衬底上生长出符合需要的微米量级的大面积β－BBO单晶薄膜，而且不用加工即可以使用，不仅节省材料，还可以大大降低成本，对激光技术的发展具有重要的意义。

主权项

1.一种低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法，其特征在于它是采用电阻加热的液相外延炉，将高温相偏硼酸钡(α-BBO)单晶衬底作为大面积的籽晶，在低温相偏硼酸钡β-BBO单晶的结晶温度下(低于相变温度925℃)，在高速旋转的α-BBO单晶衬底与BBO多晶料和氧化钠的饱和溶液接触过程中生长一层β-BBO单晶薄膜。