半导体元件及系统、晶片、晶片的用途及其测量方法

摘要

本发明涉及提供在半导体材料上的结构形式的电荷检测半导体元件，该元件包括具有晶体管栅极的MOS场效应晶体管和具有电容器栅极的MOS电容器形式的非易失存储单元。本发明还涉及包括电荷检测半导体元件和参考半导体元件的系统。本发明还涉及晶片以及具有多个电荷检测半导体元件和/或系统的晶片的用途。最后，本发明涉及在晶片处理期间用于定量和定性地测量晶片带电的方法。根据本发明，可以精确测量在晶片处理和半导体元件制造、特别是等离子体和离子注入工艺期间出现的电荷。可以连续地监视该工艺，并且用标准CMOS技术制造该结构。

主权项

1、一种提供在半导体材料上的结构形式的电荷检测半导体元件(9)，该元件包括具有晶体管栅极(7a)的MOS场效应晶体管和具有电容器棚极(7b)的MOS电容器形式的非易失存储单元，其特征在于天线(1、2、3)与电容器栅极(7b)可操作连接，并且电容器栅极(7b)以另外的可操作连线连接到晶体管栅极(7a)，以使出现在天线(1、2、3)上的电荷可以储存在存储单元中，并根据需求可以取出，而且该结构设置成与CMOS技术相容。