| 发明名称 | 在半导体器件上形成互连的方法和半导体器件上的互连件 | ||
| 摘要 | 描述了用于微电路互连的两类金属化方案PtSi/TiW/TiW(N)/Au(第一类)和PtSi/TiW/TiW(N)/TiW/Au(第二类)及相关工艺。该金属化方案及工艺可应用到与小至1.5μm或更小金属间距互连的集成电路中，对于持续高温和大电流工作条件，该金属化方案是可靠的。 | ||
| 申请公布号 | CN1111907C | 申请公布日期 | 2003.06.18 |
| 申请号 | CN95190256.3 | 申请日期 | 1995.02.14 |
| 申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | Ｓ·－Ｈ·洪 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L21/768;C23C14/34 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种在半导体器件上形成互连的方法，所述的方法包括下列步骤：在硅衬底上形成一个绝缘层；在上述绝缘层上形成一个接触孔， 以暴露上述衬底的一部分；用上述接触孔，在上述衬底上形成一个PtSi层；用上述接触孔，在上述PtSi层上形成一个TiW层；用上述接触孔，在上述TiW层上形成一个TiW(N)层；及用上述接触孔，在上述TiW(N)层上形成一个Au层。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||