| 发明名称 | 生产Ⅲ族氮化物半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 提出了一种适于用溅射法在基质上形成III族氮化物半导体层的优选条件。当用溅射法在基质上形成第一III族氮化物半导体层时，选择溅射装置的初始电压不高于溅射电压的110％。 | ||
| 申请公布号 | CN1425189A | 申请公布日期 | 2003.06.18 |
| 申请号 | CN01808301.3 | 申请日期 | 2001.04.20 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 千田昌伸;伊藤润;千代敏明;柴田直树;浅见静代 |
| 分类号 | H01L21/203;H01L23/00 | 主分类号 | H01L21/203 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 程金山 |
| 主权项 | 1.一种生产III族氮化物半导体装置的方法，包含用溅射法在基质上形成第一III族氮化物半导体层的步骤，其中选择在所述步骤中的初始电压不高于溅射电压的110％。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县 | ||