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Eine Halbleiterspeichervorrichtung ist versehen mit einem ersten und einem zweiten PMOS-Zugriffstransistor (P1, P2), die auf N-Wannenbereichen ausgebildet sind; einem ersten und einem zweiten NMOS-Ansteuerungstransistor (N1, N2), die auf einem P-Wannenbereich ausgebildet sind; einer mit den Gateanschlüssen des ersten und des zweiten PMOS-Zugriffstransistors verbundenen Wortleitung (WL) und einer ersten und zweiten Bitleitung (SL1, SL2), die mit den Sourceanschlüssen des ersten bzw. zweiten PMOS-Zugriffstransistors verbunden sind. Sodann erstrecken sich die N-Diffusionsbereiche (2b, 2c) und die P-Diffusionsbereiche (2a, 2d) in derselben Richtung, während Polysiliziumverbindungen (3a-3d) sich in derselben Richtung erstrecken.
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