| 主权项 |
1.一种在化学电镀程序中避免铜层表面铜微粒干扰缺陷检测之方法,该方法至少包含下列步骤:A.将基材置于化学电镀机台之电镀槽中进行电镀铜程序,以形成该铜层于该基材上表面,其中在该铜层之上表面会产生干扰缺陷检测之该铜微粒;以及B.将该基材置于晶圆边缘清洗槽中进行洗边程序,以移除位于该基材边缘之该铜层,且在移除之后将该基材移入喷洗式旋转槽中,并施以高纯度去离子水清洗程序,接着旋乾该基材;其特征在于:在该高纯度去离子水清洗程序后,于同一该喷洗式旋转槽中继续进行化学药剂清洗程序以移除该铜微粒。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之基材为半导体底材。3.如申请专利范围第1项之方法,其中更包括于进行该电镀铜程序之前,形成介电层于基材上表面。4.如申请专利范围第3项之方法,其中更包括定义镶嵌图案于该介电层中。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之洗边程序系利用含有15-24%硫酸、0.8-1.2%过氧化氢以及75-85%高纯度去离子水之洗边溶液,以移除位于该半导体底材边缘之该铜层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之化学药剂为稀释6-12倍之该洗边溶液。7.如申请专利范围第1项之方法,其中进行该化学药剂清洗程序之时间约为2-6秒。8.如申请专利范围第1项之方法,其中在完成上述之化学药剂清洗程序后,再利用转速为150-400 rpm之转速旋乾该半导体底材。9.一种在化学电镀程序中避免铜层表面铜微粒干扰缺陷检测之方法,该方法至少包含下列步骤:A.将基材置于化学电镀机台之电镀槽中进行电镀铜程序,以形成该铜层于该基材上表面,其中在该铜层之上表面会产生干扰缺陷检测之该铜微粒;以及B.将该基材置于晶圆边缘清洗槽中进行洗边程序,以移除位于该基材边缘之该铜层,且在移除之后将该基材移入喷洗式旋转糟中,并施以高纯度去离子水清洗程序,接着旋乾该基材;其特征在于:在该高纯度去离子水清洗程序后,于同一该喷洗式旋转槽中进行化学药剂清洗程序以移除该铜微粒,其中该化学药剂为稀释之洗边溶液。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之基材为半导体底材。11.如申请专利范围第9项之方法,其中更包括于进行该电镀铜程序之前,形成介电层于基材上表面。12.如申请专利范围第11项之方法,其中更包括定义镶嵌图案于该介电层中。13.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之洗边程序系利用含有15-24%硫酸、0.8-1.2%过氧化氢以及75-85%高纯度去离子水之洗边溶液,以移除位于该半导体底材边缘之该铜层。14.如申请专利范围第9项之方法,其中进行该化学药剂清洗程序之时间约为2-6秒。15.如申请专利范围第9项之方法,其中在完成上述之化学药剂清洗程序后,再利用转速为150-400 rpm之转速旋乾该半导体底材。16.一种在化学电镀程序中避免铜层表面铜微粒干扰缺陷检测之方法,该方法至少包含下列步骤:A.将基材置于化学电镀机台之电镀槽中进行电镀铜程序,以形成该铜层于该基材上表面,其中在该铜层之上表面会产生干扰缺陷检测之该铜微粒;B.将该基材置于晶圆边缘清洗槽中进行洗边程序,以移除位于该基材边缘之该铜层,且在移除之后将该基材移入喷洗式旋转槽中,并施以高纯度去离子水清洗程序;以及C.将该基材置于同一该喷洗式旋转槽中,进行化学药剂清洗程序,以移除该铜微粒,其中该化学药剂为稀释6-12倍之洗边溶液。17.如申请专利范围第16项之方法,其中上述之基材为半导体底材。18.如申请专利范围第16项之方法,其中更包括于进行该电镀铜程序之前,形成介电层于基材上表面。19.如申请专利范围第18项之方法,其中更包括定义镶嵌图案于该介电层中。20.如申请专利范围第16项之方法,其中上述之洗边程序系利用含有15-24%硫酸、0.8-1.2%过氧化氢以及75-85%高纯度去离子水之洗边溶液,以移除位于该半导体底材边缘之该铜层。21.如申请专利范围第16项之方法其中进行该化学药剂清洗程序之时间约为2-6秒。22.如申请专利范围第16项之方法,其中在完成上述之化学药剂清洗程序后,再利用转速为150-400 rpm之转速旋乾该半导体底材。图式简单说明:第一图为各种制程中所产生缺陷之电子显微镜图及其机率。第二图为半导体晶圆之截面图,显示根据目前业界技术制作镶嵌图案之步骤;第三图为化学机械研磨机台之侧视与部分截面图,显示根据目前业界技术化学电镀之流程槽;以及第四图为半导体晶圆之截面图,显示根据目前业界技术形成铜层之步骤。 |
