| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,具有超微粒子氧化薄膜,包含:在被处理基板上形成半导体的超微粒子薄膜之制程;以及藉由在氧环境中热处理该基板氧化该半导体,据此形成由该半导体的氧化物所构成的超微粒子氧化薄膜之制程。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中在该被处理基板上形成半导体的超微粒子薄膜之制程中,构成该微粒子薄膜之半导体材料使用矽(Si)。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中在该被处理基板上形成半导体的超微粒子薄膜之制程,形成多孔质,该孔不贯通到表面而闭合的超微粒子薄膜。4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中以藉由该半导体的氧化而形成的超微粒子氧化薄膜当作被要求低介电常数的层间绝缘膜使用。5.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中在该被处理基板上形成该半导体的超微粒子薄膜之制程是藉由导入稀有气体到收容有该被处理基板的容器内,并且加热该半导体,在稀有气体环境中使该半导体蒸发。6.如申请专利范围第5项所述之半导体装置的制造方法,其中导入到该容器内的稀有气体使用氩(Ar)。7.如申请专利范围第6项所述之半导体装置的制造方法,其中藉由该氩气的导入以设定该容器内的压力为10Torr以下。8.如申请专利范围第5项所述之半导体装置的制造方法,其中在藉由在该稀有气体环境中使该半导体蒸发的超微粒子薄膜的形成制程之后,不由该容器内取出该被处理基板,连续进行藉由该半导体的氧化之超微粒子薄膜的形成制程。9.如申请专利范围第5项所述之半导体装置的制造方法,其中在藉由在该稀有气体环境中使该半导体蒸发的超微粒子薄膜的形成制程之后,由该容器内取出该被处理基板,收容此被处理基板于其他容器内,在其他容器内进行藉由该半导体的氧化之超微粒子氧化薄膜的形成制程。10.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中在该被处理基板上形成超微粒子薄膜之制程是涂布该半导体的超微粒子于该被处理基板上。11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置的制造方法,其中被涂布于该被处理基板上的超微粒子是均匀地分散于不溶解该微粒子的液体中。12.如申请专利范围第10项所述之半导体装置的制造方法,其中在涂布该半导体的超微粒子于该被处理基板上时,使该被处理基板旋转。13.一种半导体装置的制造方法,具有超微粒子氧化薄膜,包含:藉由导入稀有气体于收容有当作蒸发源的矽与被处理基板的容器内并且加热该矽,在稀有气体环境中使该矽蒸发,据此在该被处理基板上形成矽的超微粒子薄膜之制程;以及藉由在氧环境中热处理该基板氧化该矽,据此形成由氧化矽所构成的超微粒子氧化薄膜之制程。14.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的制造方法,其中在该被处理基板上形成矽的超微粒子薄膜之制程,形成多孔质,该孔不贯通到表面而闭合的超微粒子薄膜。15.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的制造方法,其中以藉由该矽的氧化而形成的矽的超微粒子氧化薄膜当作被要求低介电常数的层间绝缘膜使用。16.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的制造方法,其中在该被处理基板上形成该半导体的超微粒子薄膜之制程中,导入到该容器内的稀有气体使用氩。17.如申请专利范围第14项所述之半导体装置的制造方法,其中藉由该氩气的导入以设定该容器内的压力为10Torr以下。18.一种半导体装置的制造方法,具有超微粒子氧化薄膜,包含:藉由在被处理基板上涂布使矽的超微粒子分散的溶液后,使该溶液蒸发,形成矽的超微粒子薄膜之制程;以及藉由在氧环境中热处理该基板氧化该矽,据此形成由氧化矽所构成的超微粒子氧化薄膜之制程。19.如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法,其中在该被处理基板上形成矽的超微粒子薄膜之制程,形成多孔质,该孔不贯通到表面而闭合的超微粒子薄膜。20.如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法,其中以藉由该矽的氧化而形成的矽的超微粒子氧化薄膜当作被要求低介电常数的层间绝缘膜使用。21.如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法,其中被涂布于该被处理基板上的矽的超微粒子是均匀地分散于不溶解该微粒子的液体中。22.如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法,其中在涂布该矽的超微粒子于该被处理基板上时,使该被处理基板旋转。23.一种半导体装置的制造方法,是使用当作层间绝缘膜的超微粒子氧化薄膜,包含:在被处理基板上形成第一氧化矽膜之制程;在第一氧化矽膜上形成矽的超微粒子薄膜之制程;藉由在氧环境中热处理该基板氧化形成该超微粒子薄膜的矽,据此形成由矽的氧化物所构成的超微粒子氧化薄膜之制程;以及在该超微粒子氧化薄膜上形成第二氧化矽膜之制程。图式简单说明:图1是显示本发明的第一实施形态所使用的薄膜制造装置的概略构成图。图2A~F是显示适用本发明于半导体制程中的层间绝缘膜的形成的例子之制程剖面图。图3是显示藉由热氧化在Ar环境气体中制作的超微粒子薄膜所得到的SiOx超微粒子薄膜的FTIR(FourierTransformation Infrared,傅立叶变换红外光谱)特性图。图4是显示藉由热氧化在Ar环境气体中制作的超微粒子薄膜所得到的SiOx超微粒子薄膜中的气体压力与相对介电常数的关是图,特别是显示在大气中以及真空中加热SiOx超微粒子薄膜后测定的结果。图5是显示在氧混合气体环境制作的SiOx超微粒子薄膜中的气体压力与相对介电常数的关是图,特别是显示在大气中以及真空中加热SiOx超微粒子薄膜后测定的结果。 |
