发明名称 |
FIB-PROTECTED SEMICONDUCTOR CHIP |
摘要 |
<p>Bei dem Halbleiterchip wird eine Leiterstruktur mit einem Dielektrikum verbunden, das die Eigenschaft besitzt, durch Einbringen von Ionen eine elektrische Leitfähigkeit auszubilden, die für eine schaltungstechnische Verbindung der Leiter ausreicht. Wenn ein solches Dielektrikum mit Ionen bestrahlt wird, erhöht sich dessen elektrische Leitfähigkeit so, dass die in dem Chip (1) integrierte elektronische Schaltung die auf diese Weise erzeugte elektrische Verbindung zwischen den an das Dielektrikum (2) angrenzenden Leitern (3) feststellen kann. Geeignet sind organische Materialien mit pi-Elektronensystem.</p> |
申请公布号 |
WO03046985(A1) |
申请公布日期 |
2003.06.05 |
申请号 |
WO2002DE03968 |
申请日期 |
2002.10.21 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;UNGAR, FRANZ;SCHMID, GUENTER |
发明人 |
UNGAR, FRANZ;SCHMID, GUENTER |
分类号 |
H01L21/312;H01L23/29;H01L23/58;(IPC1-7):H01L23/58 |
主分类号 |
H01L21/312 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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