发明名称 Hochdichte Zwischen-Chip-Zwischenverbindungsstruktur
摘要 Eine Zwischenverbindungsarchitektur zum Verbinden mehrerer eng beabstandeter elektrischer Elemente auf einer hergestellten ersten integrierten Schaltungsstruktur mit operativen Schaltungen auf einer hergestelleten zweiten integrierten Schaltungsstruktur. Bei einer Ausführungsform umfaßt die hergestellte erste integrierte Schaltungsstruktur mehrere Fotosensoren. Leitende Zwischenverbindungselemente auf der hergestellten ersten integrierten Schaltungsstruktur sorgen für eine elektrische Verbindung zwischen einzelnen Fotosensoren und den operativen Schaltungen auf der hergestellten zweiten integrierten Schaltungsstruktur.
申请公布号 DE10240471(A1) 申请公布日期 2003.06.05
申请号 DE2002140471 申请日期 2002.09.03
申请人 AGERE SYSTEMS GUARDIAN CORP., ORLANDO 发明人 LAYMANN, PAUL ARTHUR;MCMACKEN, JOHN RUSSEL
分类号 H01L25/18;H01L21/60;H01L25/065;H01L25/07;H01L27/146;(IPC1-7):H01L25/16;H01L21/58 主分类号 H01L25/18
代理机构 代理人
主权项
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