发明名称 |
Hochdichte Zwischen-Chip-Zwischenverbindungsstruktur |
摘要 |
Eine Zwischenverbindungsarchitektur zum Verbinden mehrerer eng beabstandeter elektrischer Elemente auf einer hergestellten ersten integrierten Schaltungsstruktur mit operativen Schaltungen auf einer hergestelleten zweiten integrierten Schaltungsstruktur. Bei einer Ausführungsform umfaßt die hergestellte erste integrierte Schaltungsstruktur mehrere Fotosensoren. Leitende Zwischenverbindungselemente auf der hergestellten ersten integrierten Schaltungsstruktur sorgen für eine elektrische Verbindung zwischen einzelnen Fotosensoren und den operativen Schaltungen auf der hergestellten zweiten integrierten Schaltungsstruktur. |
申请公布号 |
DE10240471(A1) |
申请公布日期 |
2003.06.05 |
申请号 |
DE2002140471 |
申请日期 |
2002.09.03 |
申请人 |
AGERE SYSTEMS GUARDIAN CORP., ORLANDO |
发明人 |
LAYMANN, PAUL ARTHUR;MCMACKEN, JOHN RUSSEL |
分类号 |
H01L25/18;H01L21/60;H01L25/065;H01L25/07;H01L27/146;(IPC1-7):H01L25/16;H01L21/58 |
主分类号 |
H01L25/18 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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