介质分隔式半导体器件

摘要

将第一和第二P^-型半导体衬底通过在其间夹上一绝缘膜胶合起来，构成SOI衬底。在P型SOI层中两衬底的表面形成沟道分隔区，供选择各元件用，从而通过用氧化膜埋设沟道将元件形成区封闭起来。在此由介电区分隔的元件形成区中形成具有P⁺型漏极扩散层和P^-型漏极扩散层的MOS晶体管。向由沟道分隔区所封闭的元件形成区外的P⁺扩散层连接的电极和漏极扩散层上加同样的电位。这样做的结果是，无需在SOI衬底背面形成电极就可以避免耐压变差。

主权项

1.一种介质分隔式半导体器件，其特征在于，它包括：一个SOI衬底，衬底的正面和反面彼此绝缘，由一埋设的绝缘膜分隔开；和在所述SOI衬底表面上集成的多个元件，彼此由介电区(13)分隔开，所述元件包括：第一导电类型扩散层(11)，由所述介电区(13)分隔着；第二导电类型扩散层(10)，更细薄地在所述第一导电类型扩散层的表面形成；一个电极(22)，设在与所述第一导电类型扩散层(11)相邻横跨所述介电区的区域(14)；和偏压施加装置，用以往所述第二导电类型扩散层的结加反向偏压，并往所述电极(22)加与所述第二导电类型扩散层(10)相同的电位。