薄膜晶体管的制造方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，其特征是，提供了高速的运行和高可靠性，其中由CW激光结晶的半导体层用于TFT的有源层。当由CW激光结晶一个半导体层时，由于宽度方向上的能量密度分布，一部分形成大晶粒，而另一部分形成微型晶粒。前者展现了良好的电气特性。后者的电气特性很差，因为晶粒边界阻碍电荷的移动，由此当用作一个晶体管的有源层时会引起麻烦。因此，对电路进行设置，将大晶粒形成的半导体层用于每个TFT的有源层。

主权项

1.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：在一个基片上形成一个非晶半导体薄膜；施加相对于基片收集的激光束，利用该激光束辐照该非晶半导体薄膜，形成一个结晶的半导体薄膜；和蚀刻该结晶半导体薄膜，形成一个有源层，其中激光束辐照区域的宽度为有效辐照区域宽度D、有效辐照区域左侧的区域宽度d和有效辐照区域右侧的区域宽度d的总和，和其中，当V＝0时，用于该有源层的结晶半导体薄膜是在距离L内的区域以外的区域形成的，L表示为n(D+2d)-d≤L≤n(D+2d)+d和0≤L(n为一个整数，0≤n)，V为激光束扫描时相邻的激光束重叠的宽度，L为在与激光束扫描方向垂直的方向上与原点之间的距离，该原点为一个激光束辐照对象上的辐照区域一端内的一个点。