| 主权项 |
1.一种至少从基材(2)部分释放微结构(8)之方法,其包含步骤:a)提供一基材(2);b)沈积第一层(4)及第二层(6)在该基材(2)上,此第一层(4)及第二层(6)每一个包含电气传导材料且每个有不同的氧化还原电位;c)电气连接第一层(4)及第二层(6);d)在步骤(b)沈积的此第一(4)及第二(6)层上形成微结构(8)来产生中间结构(10);以及e)电化学蚀刻该第二层(6),藉由浸泡在步骤d)中形成的中间结构(10)在电解液(12)中。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一(4)及第二(6)层在形成此微结构(8)之前依序沈积且电气连接。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该基材(2)包含从包含矽、玻璃、石英、陶瓷、塑胶等物之群组所选出的一材料。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该基材(2)包含从包含矽、玻璃、石英、陶瓷、塑胶等物之群组所选出的一材料。5.如申请专利范围第1.2.3或4项之方法,其中该基材(2)实质上是平坦的。6.如申请专利范围第1.2.3或4项之方法,其中该第一层(4)包含一贵金属。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该贵金属是从一群包含金、铂、钯、银及铜选出。8.如申请专利范围第1.2.3或4项之方法,其中该第二层(6)包含由包含铝、锌、铬、铁及钴之群组所选出之一或多个金属。9.如申请专利范围第1.2.3或4项之方法,其中该层包含一导体或掺杂的半导体。10.如申请专利范围第1.2.3或4项之方法,其中该第一层(4)较该第二层(6)具有较高的氧化还原电位。11.如申请专利范围第1.2.3或4项之方法,其中该第一层(4)系当作一阴极。12.如申请专利范围第1.2.3或4项之方法,其中该第二层(6)系当作是阳极。13.如申请专利范围前第1.2.3或4项之方法,其中该第一(4)及该第二(6)层集合性的形成直流电池当浸泡在电解液(12)中时。14.如申请专利范围第1.2.3或4项之方法,其包含在该微结构下(8)形成一或多个微通道,腔洞(14)及缝隙(16)。15.如申请专利范围第1.2.3或4项之方法,其中该微结构(8)包含一微电子装置。图式简单说明:图1A到1C概要的显示处理的步骤做出一部份微结构自行立起或是从基质完整的释放出,根据本发明的方法;图2A到2C概要的显示对一不平坦基质的与图1A到1C相同处理步骤;图3A及3B概要的显示用来蚀刻非常薄的预结构牺牲材料的处理步骤,根据本发明的方法;图4概要的显示适当电解液中的结构配置,根据本发明的方法;以及图5描述大型光可塑胶尖端阵列的完整取起,根据本发明的处理。 |
