| 主权项 |
1.一种以激发萤光作为顶部光源之影像扫描装置,系包括:一扫描器机台,具有一内部空间,其顶面嵌置有一原稿承置面;一上盖,枢连于该扫描器机台上,该上盖之底面涂布有一萤光层;一光学模组,配置在该扫描器机台之内部空间,该光学模组包括有复数个反射镜片、一影像感测元件;一萤光激发光源产生装置,配置在该光学模组上,用以产生一可激发该萤光层之萤光激发光线;当该扫描器机台之原稿承置面上放置一穿透式稿件时,由该萤光激发光源产生装置产生之萤光激发光线投射向该穿透式稿件,并在透过该穿透式稿件后,使该上盖底面之萤光层受到激发而产生萤光光源,该萤光光源在穿透过该穿透式稿件后,由该光学模组内之反射镜片反射,再由该影像感测元件予以接收。2.如申请专利范围第1项所述之以激发萤光作为顶部光源之影像扫描装置,其中该萤光激发光源产生装置系包括至少一可发出紫外光之紫外光发光元件,其产生之紫外光线系作为萤光激发光线,以投射向该萤光层,使该萤光层产生萤光光源。3.如申请专利范围第2项所述之以激发萤光作为顶部光源之影像扫描装置,其中该紫外光发光元件所产生之紫外光线系为短波长之紫外光线,其光线波长约为250~260奈米(nm)。4.如申请专利范围第2项所述之以激发萤光作为顶部光源之影像扫描装置,其中该紫外光发光元件所产生之紫外光线系为长波长之紫外光线,其光线波长约为360~370奈米(nm)。5.如申请专利范围第2项所述之以激发萤光作为顶部光源之影像扫描装置,其中该紫外光发光元件系为紫外线发光二极体(UV-LED),其所产生之紫外光线波长约为370~400奈米(nm)。6.如申请专利范围第2项所述之以激发萤光作为顶部光源之影像扫描装置,其中该萤光层之萤光材料系选自于卤化磷酸钙系列之萤光材料。7.如申请专利范围第2项所述之以激发萤光作为顶部光源之影像扫描装置,其中该萤光层之萤光材料系选自于稀土元素之萤光材料。8.如申请专利范围第2项所述之以激发萤光作为顶部光源之影像扫描装置,其中该萤光层之萤光材料系选自于受到紫外光线激发时可发出蓝色、绿色、橙色或红色之一的可见光,再经光色混合而产生白光之萤光光源。9.如申请专利范围第1项所述之以激发萤光作为顶部光源之影像扫描装置,其中该萤光激发光源产生装置系包括至少一蓝光发光元件,其可产生蓝光光线投射向该萤光层,而该萤光层之材料则系选自于可发出黄光之萤光材料,藉由该蓝光光线激发该黄光之萤光材料,而由萤光层产生白光之萤光光源。10.如申请专利范围第9项所述之以激发萤光作为顶部光源之影像扫描装置,其中该蓝光发光元件系为氮化铟镓(InGaN)蓝光发光二极体,该蓝光之波长约为460~480奈米(nm)。11.如申请专利范围第9项所述之以激发萤光作为顶部光源之影像扫描装置,其中该萤光层之材料系选自于可发出黄光系列之钇铝石榴石(Y3A15012,Yttrium Aluminum Garnet,YAG)萤光材料,该黄光之波长约为555奈米(nm)。12.如申请专利范围第1项所述之以激发萤光作为顶部光源之影像扫描装置,其中该光学模组上更配置有一反射式光源产生装置,以在该扫描器机台之原稿承置面上放置一反射式稿件时,由该反射式光源产生装置产生一反射式扫描光线投射向该反射式稿件,该反射式扫描光线经该反射式稿件反射后,由该光学模组内之反射镜片反射,其由该影像感测元件予以接收。图式简单说明:图一系显示习知反射式影像扫描装置之立体图;图二系显示图一中习知反射式影像扫描装置之光程示意图;图三系显示习知穿透式影像扫描装置之立体图;图四系显示图三中习知穿透式影像扫描装置之光程示意图;图五系显示本创作影像扫描装置之立体图;图六系显示本创作之上盖之底面具有一萤光层的剖示图;图七系显示本创作之上盖与光学模组间配置关系之剖示图;图八系显示本创作在进行反射式稿件扫描时之动作示意图;图九系显示本创作在进行穿透式稿件扫描时之动作示意图;图十系显示本创作另一实施例中在进行穿透式稿件扫描时之动作示意图。 |
