发明名称 半导体积体电路装置及其设计方法
摘要 本发明系提供一种半导体积体电路装置及其设计方法,系在具有阶层构造时,藉由简单的选择减低消费电力用的闸控时脉,可容易的获致低消费电力的半导体积体电路装置。该半导体积体电路装置及其设计方法具备有:至少具有3个阶层构造,同时具有复数电路块1至4,各个阶层由上位阶层到下位阶层各有输出动作控制信号(CTL1_2、CTL1_1、CTL1_1_1)之电路块。使用选择自包含在以下2种的闸控时脉而成之组群中的1种,以作为输入至第3阶层的电路块4之闸控时脉,亦即由含有:将输出至不同阶层之2个动作控制信号(CTL1_1、CTL1_1_1)作为闸极信号所生成的2个闸控时脉,及由输入至最上位阶层电路块1之闸控时脉亦即主时脉所构成的3个闸控时脉。
申请公布号 TW535045 申请公布日期 2003.06.01
申请号 TW090128055 申请日期 2001.11.13
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 大山达史;山内英树
分类号 G06F1/04 主分类号 G06F1/04
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路八十号六楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路八十号六楼
主权项 1.一种半导体积体电路装置,其特征在具备:至少具有3个阶层构造,同时具有复数电路块,各个阶层上由上位阶层到下位阶层各有输出动作控制信号;使用选择自包含以下2种的闸控时脉而成之组群中的1种,以作为输入至前述复数电路块内的第3阶层以下的下位阶层电路块之闸控时脉,而该2种系为:将输出至不同阶层之至少2个前述动作控制信号作为闸极信号所生成的至少2个闸控时脉,及由输入至最上位阶层电路块之预定闸控时脉所构成的至少3个闸控时脉。2.如申请专利范围第1项之半导体积体电路装置,其中,对前述复数电路块中最上位阶层之第1阶层电路块上,输入主时脉以作为闸控时脉;对属于前述第1阶层之下位阶层的第2阶层电路块,输入以由前述第1阶层电路块输出至前述第2阶层之动作控制信号作为闸极信号所产生的闸控时脉,及前述主时脉中的任一个,作为闸控时脉。3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体积体电路装置,其中,对前述第3阶层以下的电路块,输入从前述组群所包含的复数闸控时脉中选出之满足预定电路上的限制之1个闸控时脉。4.一种半导体积体电路装置之设计方法,其特征在具备:系至少具有3个阶层构造,同时具有复数电路块,各个阶层由上位阶层到下位阶层各有输出动作控制信号之电路块;使用选择自包含在以下2种的闸控时脉而成之组群中的1种之步骤,以作为输入至前述复数电路块内的第3阶层以下的下位阶层电路块之闸控时脉,而该2种系:将输出至不同阶层之至少2个前述动作控制信号作为闸极信号所生成的至少2个闸控时脉,及由输入至最上位阶层电路块之预定闸控时脉所构成的至少3个闸控时脉。5.如申请专利范围第4项之半导体积体电路装置及其设计方法,其中,该选择输入至前述第3阶层以下的下位阶层电路块之1个闸控时脉之步骤包含:判断由下位阶层的动作控制信号所生成的第1闸控时脉是否可满足预定电路上的限制之步骤;及若前述第1闸控时脉满足前述预定电路上的限制时,选择前述第1闸控时脉,同时,前述第1闸控时脉无法满足前述预定电路上的限制时,将前述第1闸控时脉更换至可满足前述预定电路上的限制之上位阶层的第2闸控时脉的步骤。6.如申请专利范围第5项之半导体积体电路装置之设计方法,其中,前述预定电路上的限制系包含:由1个闸控时脉所动作的正反器具有预定的数量以上。7.如申请专利范围第5项或第6项之半导体积体电路装置之设计方法,其中,在更换至前述上位阶层第2闸控时脉时,更具备有消除不要的前述下位阶层第1闸控时脉之步骤。图式简单说明:第1图系表示根据本发明一实施型态中,包含具有3个阶层构造的电路块之半导体积体电路装置的构成之方块图。第2图系用以说明第1图所示的第3阶层电路块的内部构成及信号之方块图。第3图系将第2图所示之第3阶层的电路块的内部作为黑盒时的方块图。第4图系表示第1图所示之闸控时脉生成部的详细构成之方块图。第5图系用以说明第4图的闸控时脉生成部的动作之时序图。第6图系用以说明选择第1图所示之相对于第3阶层电路块的闸控时脉的方法之概略图。
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