发明名称 用于安置半导体晶片的装置
摘要 半导体晶片安置装置也含一具有抓取工具(6)之打线头(5),其中抓取工具(6)具有可以应用真空,以抓紧及运送半导体晶片(7)之纵向钻孔(9)。为了检测抓取工具(6)是否已经抓紧半导体晶片(7),配置在抓取工具(6)的纵向钻孔(9)中之具有反射面之本体(15),会在没有半导体晶片(7)时,使光源(10)通过,将光线从其下方偏射进入抓取工具(6)的纵向钻孔(9),而到达水平面(17)。抓取工具(6)具有可以穿透光源(10)的偏射光线之位置。至少有一光学组件(19;19.1,19.2)配置在打线头(5)之上,其至少可以将部分自抓取工具(6)横向射出的光线偏射在感光器(18)之上。
申请公布号 TW535250 申请公布日期 2003.06.01
申请号 TW090121294 申请日期 2001.08.29
申请人 艾斯克通商公司 发明人 曼哈特尤金;冈什汤玛斯;路费利克斯;迪斯陈辛
分类号 H01L21/68 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种关于安置半导体晶片的装置,包含具有抓取工具(6)之打线头(5)、光源(10)和感光器(18),其中抓取工具(6)具有可以应用真空,以抓紧及运送半导体晶片(7)之纵向钻孔(9),而感光器(18)则是要检测抓取工具(6)是否已抓紧半导体晶片(7),因此,在没有半导体晶片(7)时,来自光源(10)的光线会通过进入抓取工具(6)的纵向钻孔(9),而到达感光器(18),其中具有之特征为:具有反射面形成在其上之本体(15),系配置在抓取工具(6)的纵向钻孔(9)之上,其可以将自其下发射的光线偏射进入抓取工具(6)的纵向钻孔(9),然后到达水平面(17);抓取工具(6)具有可穿透光源(10)的光线之位置;及至少一个光学组件(19;19.1,19.2)配置在打线头(5)之上,至少可以将一部分自抓取工具(6)横向射出的偏射光线集中在感光器(18)上。2.如申请专利范围第1项之装置,其中光学组件(19)系一椭圆形之反射镜,因此本体(15)的反射面系位在椭圆形的第一焦点(20),而感光器(18)则是位在椭圆形的第二焦点(21)。3.如申请专利范围第1项之装置,其中光学组件(19.1)系透镜,而第二光学组件(19.2)系以反射镜的形式出现。4.如申请专利范围第1项之装置,其中光学组件(19.1)系透镜,而感光器(18)则是位在透镜的焦点(21)上。5.如申请专利范围第1项之装置,其中光学组件或组件(19)和感光器(18)都被安装在不透光的盒子中。6.如申请专利范围第2项之装置,其中光学组件或组件(19)和感光器(18)都被安装在不透光的盒子中。7.如申请专利范围第3项之装置,其中光学组件或组件(19)和感光器(18)都被安装在不透光的盒子中。8.如申请专利范围第4项之装置,其中光学组件或组件(19)和感光器(18)都被安装在不透光的盒子中。9.如申请专利范围第1项到第8项中任一项之装置,其中还有提供一透镜(25),以产生一几乎平行之光束(23),因此光源(24)要位在透镜(25)的焦点上。图式简单说明:第1图为具有打线头之半导体晶片安置装置,其中打线头拥有一抓取工具;第2图为根据本发明,具有量测系统之打线头的横截面图;第3图为量测系统之第一实施例的平面图;第4图为抓取工具之细部图;第5图为量测系统之第二实施例;第6图为产生平行光束之光源。
地址 瑞士