| 主权项 |
1.一种热敏电阻,包含:(a)一个半导体本体,包含二个相对表面;(b)一第一电极层,由半导体本体之相对表面所朝外沉积,该第一层系由包含一导电金属之一第一电极材料所构成,且具有厚度为不小于约5微米;(c)一第二电极层,由该第一层所朝外沉积,该第二层系由包含一活性金属之一第二电极材料所构成,该第二层具有厚度为不大于约5微米;(d)一第三电极层,由该第二层所朝外沉积,该第三层系由包含一障壁金属之一第三电极材料所构成,该第三层具有厚度为不大于约5微米;及(e)可选择式之一第四电极层,由该第三层所朝外沉积,该第四层系由一第四电极材料所构成,该第四层具有厚度为不大于约5微米。2.如申请专利范围第1项之热敏电阻,其中该半导体本体系由 一陶瓷材料所形成,该陶瓷材料包含一或多种金属氧化物。3.如申请专利范围第1项之热敏电阻,其中该第一电极层具有厚度约为自10至40微米。4.如申请专利范围第3项之热敏电阻,其中该第一电极层具有厚度约为25微米。5.如申请专利范围第1项之热敏电阻,其中该第一电极材料之导电金属系取自于由Ag、Pt、Pd、Au及其组合与合金所组成的群组。6.如申请专利范围第5项之热敏电阻,其中该第一电极材料包含Ag与一玻璃原料或非玻璃原料之黏合剂。7.如申请专利范围第1项之热敏电阻,其中该第二电极材料之活性金属系取自于由Ti、V、Cr、Zr、Nb、Tc及其组合与合金所组成的群组。8.如申请专利范围第1项之热敏电阻,其中该第三电极材料之障壁金属系取自于由Pt、Pd、Re、W、Ni、Mo及其组合与合金所组成的群组。9.如申请专利范围第1项之热敏电阻,其中当运用该可选择式第四电极层时,该第四电极层之电极材料包含一金属,该金属系与欲接合至其之一电气接点的金属为可相容。10.一种热敏电阻,包含:(a)一个半导体本体,由包含一或多种金属氧化物之一陶瓷材料所构成,具有二个相对表面;(b)一第一电极层,沉积于半导体本体之相对表面的至少一部位,该第一电极层包含Ag,且具有厚度约为自10至40微米;(c)一第二电极层,沉积于第一电极层,该第二电极层包含Ti,且具有厚度约为自0.05至1.0微米;(d)一第三电极层,沉积于第二电极层,该第三电极层包含Pt,且具有厚度约为自0.1至1.0微米;及(e)一第四电极层,沉积于第三电极层,该第四电极层包含Au,且具有厚度约为自1.0至3.0微米。11.一种制造热敏电阻之方法,包含步骤:(a)形成一个半导体本体,其具有相对侧;(b)沉积一第一电极层于半导体本体之相对侧的至少一部位,该第一电极层包含一导电金属,且具有厚度约为自10至40微米;(c)沉积一第二电极层于第一电极层,该第二电极层包含一活性金属,且具有厚度约为自0.05至1.0微米;(d)沉积一第三电极层于第二电极层,该第三电极层包含一障壁金属,且具有厚度约为自0.05至2.0微米;及(e)可选择式沉积之一第四电极层于第三电极层,该第四电极层具有厚度约为自0.3至5.0微米。12.如申请专利范围第11项之方法,更包含步骤为附接一电气接点至该等相对侧各者上的一外电极层。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该等电气接点系藉着焊接、熔接、导电黏着剂或线接合方式而附接至外电极层。14.如申请专利范围第11项之方法,其中该第一层系沉积于半导体本体上,藉着选自于由喷射、网印、刷拭、旋转披覆所组成的群组之一种方法。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该第一层系藉着喷射而沉积。16.如申请专利范围第11项之方法,其中该第二层、第三层与选择式之第四层系藉着汽相沉积或电镀而沉积。17.如申请专利范围第11项之方法,更包含步骤为基于欲附接至其之电气接点的组成而选择一外层。图式简单说明:第1A图系先前技艺之一热敏电阻元件的平面图。第1B图系第1A图之热敏电阻元件的横截面正视图。第2A图系先前技艺第二种结构之一热敏电阻元件的横截面平面图。第2B图系第2A图之热敏电阻元件的横截面正视图。第3A图系本发明一个较佳实施例之一热敏电阻元件的平面图。第3B图系第3A图之热敏电阻元件的横截面正视图。第3C图系第3B图之热敏电阻元件的放大部分横截面图。第4A图系一热敏电阻的横截面平面图,其运用第3A-C图之一热敏电阻元件的较佳实施例。第4B图系第4A图之热敏电阻的横截面正视图。第4C图系第4B图之热敏电阻元件的放大部分横截面图。第5A图系本发明之另一热敏电阻的立体图,说明介于热敏电阻元件的底部电极与一电路基板的一接触垫之间的焊接。第5B图系第5A图之热敏电阻之一顶角的放大部分横截面图。第5C图系第5B图之热敏电阻元件的放大部分横截面图。第5D图系第5A图之热敏电阻的右侧立体图。第5E图系第5D图之热敏电阻元件的放大部分横截面图。 |
