发明名称 | 门极可关断晶闸管关断过电压低损耗吸收电路 | ||
摘要 | 本发明涉及一种门极可关断晶闸管关断过电压低损耗吸收电路,该电路包括:一个三角形吸收电路,由两个电阻-电容-二极管吸收电路及一个钳位电容组成,一个桥臂开通过电流吸收电路,由阳极电抗器、阳极电阻和阳极吸收二极管组成,一个钳位电容器,连接在阳极吸收二极管的阴极与直流母线负极之间,本发明设计的门极可关断晶闸管关断吸收电路,能有效地抑制门极可关断晶闸管关断时产生的过电压尖峰,使过电压尖峰在安全范围内。 | ||
申请公布号 | CN1110141C | 申请公布日期 | 2003.05.28 |
申请号 | CN00105938.6 | 申请日期 | 2000.04.21 |
申请人 | 河南省电力公司;清华大学 | 发明人 | 刘文华;高航;梁旭;刘遵义;纪勇 |
分类号 | H03K17/732;H03K17/08 | 主分类号 | H03K17/732 |
代理机构 | 北京清亦华专利事务所 | 代理人 | 罗文群 |
主权项 | 1、一种门极可关断晶闸管关断过电压低损耗吸收电路,其特征在于该关断过电压低损耗吸收电路包括:(1)一个三角形吸收电路,由两个电阻-电容-二极管吸收电路及一个钳位电容组成,用于抑制门极可关断晶闸管关断时产生的过电压(VDSP、VDM、VR),所述的两个电阻-电容-二极管吸收电路中,二极管和电容间的连线为宽铜板,宽铜板宽度为40毫米,厚1毫米;(2)一个桥臂开通过电流吸收电路,由阳极电抗器、阳极电阻和阳极吸收二极管组成,用于抑制门极可关断晶闸管开通时的电流上升速度;(3)一个钳位电容器,连接在阳极吸收二极管的阴极与直流母线负极之间,用于抑制过电压(VR)。 | ||
地址 | 100084河南省郑州市嵩山南路87号 |