发明名称 | 氮化只读存储器的结构及其制造方法 | ||
摘要 | 一种氮化只读存储器的结构及其制造方法。此结构至少包括位于基底上的栅介电复层、位于栅介电复层表面的氧化硅层、位于栅介电复层的两侧基底中的位线氧化层、位于位线氧化层下方基底中的源极/漏极与横越栅介电复层与位线氧化层之上的栅极。其中栅介电复层是由底氧化层、氮化硅层与顶氧化层所组成,而氧化硅层是由化学气相沉积法所沉积而成。本发明可以减少热预算,并减少源极/漏极的横向扩散,以增加集成电路的集成度。 | ||
申请公布号 | CN1420567A | 申请公布日期 | 2003.05.28 |
申请号 | CN01136199.9 | 申请日期 | 2001.11.21 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘振钦 |
分类号 | H01L27/112;H01L21/8246 | 主分类号 | H01L27/112 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民;王刚 |
主权项 | 1.一种氮化只读存储器的结构,该结构至少包括:一栅介电复层位于一基底上;共形的一氧化硅层位于该栅介电复层的表面;二位线氧化层位于该栅介电复层的两侧该基底中;二源极/漏极分别位于该些位线氧化层下方的两侧该基底中;以及一栅极跨越该栅介电复层与该二位线氧化层之上。 | ||
地址 | 中国台湾 |