| 发明名称 | 基片表面洗净液及洗净方法 | ||
| 摘要 | 提供在半导体器件或显示器件等制造过程中，与现有技术相比，能够高效率地对器件用基片去除微小微粒子污染的洗净液及洗净方法。以至少含有以下的(A)、(B)、(C)、(D)，pH是9以上，(C)的含量是0.01重量％以上4重量％以下为特征的基片表面洗净液。(A)是在同一分子结构内具有可以有取代基的烃基和聚氧亚乙基环氧乙烷加成型表面活性剂，是以包含在该烃基中的碳原子数(m)和聚氧亚乙基中的氧亚乙基的数(n)的比率是m/n≤1.5为特征的表面活性剂(B)碱成分(C)过氧化氢(D)水。 | ||
| 申请公布号 | CN1420161A | 申请公布日期 | 2003.05.28 |
| 申请号 | CN02151346.5 | 申请日期 | 2002.11.18 |
| 申请人 | 三菱化学株式会社 | 发明人 | 森永均;望月英章;伊藤笃史 |
| 分类号 | C11D1/722;C11D3/39 | 主分类号 | C11D1/722 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曹雯;郭广迅 |
| 主权项 | 1.基片表面洗净液，其特征在于，至少含有以下的(A)、(B)、(C)、(D)，pH是9以上，(C)的含量是0.01重量％以上4重量％以下，(A)是在同一分子结构内具有可以有取代基的烃基和聚氧亚乙基的环氧乙烷加成型表面活性剂，是以包含在该烃基中的碳原子数(m)和聚氧亚乙基中的氧亚乙基的数(n)的比率是1.5以下为特征的表面活性剂，(B)碱成分(C)过氧化氢(D)水。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||