发明名称 |
薄膜晶体管阵列基板的制造方法及其结构 |
摘要 |
一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法及其结构,在薄膜晶体管制作的过程中,栅极绝缘层与保护层依序覆盖在像素区域上。通过控制栅极绝缘层的蚀刻速率大于保护层的蚀刻速率,在栅极绝缘层与保护层形成多个开口,而栅极绝缘层中所形成的开口具有底切轮廓。之后再形成一透明导电层于透明基底上方,由于栅极绝缘层中的开口具有底切轮廓,故所形成的透明导电层会自动分布在开口底部以及保护层上方而不桥接,其所形成的上、下层电极是自行对准且几无间距。此种自动对准的平面间转换模式液晶显示器件具备高开口率、好的画质均匀度、较低的工作电压及较简化的工艺。 |
申请公布号 |
CN1420554A |
申请公布日期 |
2003.05.28 |
申请号 |
CN01136183.2 |
申请日期 |
2001.11.21 |
申请人 |
瀚宇彩晶股份有限公司 |
发明人 |
郑嘉雄 |
分类号 |
H01L21/84;H01L21/336;G02F1/136 |
主分类号 |
H01L21/84 |
代理机构 |
北京集佳专利商标事务所 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管阵列基板制造方法,至少包括:提供一透明基板,该透明基板上具有复数个像素,其中每一该些像素具有一薄膜晶体管与一像素区域,且该像素区域上具有一第一绝缘层与一第二绝缘层;蚀刻该像素区域上的该第一绝缘层与该第二绝缘层,以在该第一绝缘层中形成复数个第一开口,而在该第二绝缘层中形成复数个第二开口,其中,该些第一开口具有一底切轮廓,以使该些第一开口的宽度大于该些第二开口的宽度;形成一导电层于该像素区域上,以在该些第一开口底部形成一公共电极,而在该第二绝缘层的上表面形成一像素电极,其中该像素电极与该公共电极自动对准分离于该些第一开口的底部以及该第二绝缘层的上表面。 |
地址 |
台湾省台北市民生东路三段115号5楼 |