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Ein Tunnelmagnetwiderstandselement (TMR), das eine MTJ-Speicherzelle bildet, weist eine längliche Form mit einem Aspektverhältnis größer als 1 zum Stabilisieren der Magnetisierungseigenschaften auf. Bitleitungen (BL) und Schreibwortleitungen (WWL) zum Tragen von Datenschreibströmen (Iw, Ip) sind entlang der kurzen (b) und der langen (a) Seite des Tunnelmagnetwiderstandselementes (TMR) angeordnet. Der Datenschreibstrom (Iw), der durch die Bitleitung (BL) fließt, die leicht eine Verbindungsbreite aufweisen kann, ist so ausgelegt, daß er größer als der Datenschreibstrom (Ip) ist, der durch die Schreibwortleitung (WWL) fließt. Zum Beispiel ist ein Abstand zwischen der Schreibwortleitung (WWL) und dem Tunnelmagnetwiderstandselement (TMR) kleiner als sein Abstand zwischen der Bitleitung (BL) und dem Tunnelmagnetwiderstandselement (TMR).
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