发明名称 等离子体加工系统及其方法
摘要 一种用来加工衬底的等离子体加工系统,它包括单室的、基本上方位对称的等离子体加工室,在其中等离子体被点燃并被保持以用于加工。该等离子体加工室不具有单独的等离子体发生室。该等离子体加工室具有上端和下端。该等离子体加工系统包括设在等离子体加工室上端的耦合窗口以及在衬底被置于用于加工的等离子体加工室中时处于由衬底所确定的平面上方的RF天线装置。等离子体加工系统还包括设在由衬底确定的平面上方的电磁铁装置。该电磁铁装置被构型成,当至少一个直流电流被馈送到电磁铁时在等离子体加工室的耦合窗口和天线附近的区域中引起可控磁场的径向变化。此径向变化可用来影响衬底上的加工均匀性。等离子体加工系统还包括耦合到电磁铁装置的直流电源。此直流电源具有控制器,用来改变至少一个直流电流的幅度,从而改变等离子体加工室的天线附近区域中的可控磁场的径向变化,以改善衬底上的加工均匀性。
申请公布号 CN1421043A 申请公布日期 2003.05.28
申请号 CN00818236.1 申请日期 2000.11.14
申请人 兰姆研究有限公司 发明人 A·D·拜利三世;A·M·舍普;D·J·赫姆克尔;M·H·维尔科克森;A·库蒂
分类号 H01J37/32 主分类号 H01J37/32
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 肖春京;黄力行
主权项 1.一种用来加工衬底的等离子体加工系统,它包括:单室的、基本上方位对称的等离子体加工室,在其中等离子体被点燃并保持以用于所述加工,所述等离子体加工室不具有单独的等离子体发生室,所述等离子体加工室具有上端和下端;设在所述等离子体加工室上端的耦合窗口;当所述衬底被置于用于所述加工的所述等离子体加工室中时,处于所述由所述衬底确定的平面上方的RF天线装置;设在由所述衬底确定的所述平面上方的电磁铁装置,所述电磁铁装置被构型成,当至少一个直流电流被馈送到所述电磁铁装置时,在所述等离子体加工室的所述耦合窗口和天线附近的区域中引起可控磁场的径向变化,所述径向变化可用来影响所述衬底上的加工均匀性;耦合到所述电磁铁装置的直流电源,所述直流电源具有控制器来改变所述至少一个直流电流的幅度,从而改变所述等离子体加工室中所述天线附近的所述区域中的所述可控磁场的所述径向变化,以改善所述衬底上的所述加工均匀性。
地址 美国加利福尼亚州