发明名称 |
去离子水或高纯水的生产方法和装置 |
摘要 |
一种生产适用于半导体加工等领域使用的硼浓度降低了的去离子水或高纯水的方法和装置。该装置包括一个装配有膜分离装置等等的初级去离子水处理单元,用于从经过预处理单元(1)生产的预处理后的水中得到去离子水,一个贮存该初级去离子水的水槽(9),和一个位于水槽(9)下游并装配有膜分离部件的次级去离子水生产部分,离子交换部件等等,用于从初级去离子水得到高纯水。在初级去离子水生产部分中,在两床离子交换去离子单元(3)的K(阳离子)柱中,硼选择性离子交换树脂设置在强酸阳离子交换树脂的上游。由于有这种硼选择性离子交换树脂,在很长的时期内可以稳定地降低两床离子交换去离子系统出水中硼的浓度。 |
申请公布号 |
CN1109655C |
申请公布日期 |
2003.05.28 |
申请号 |
CN95190664.X |
申请日期 |
1995.07.21 |
申请人 |
奥加诺株式会社 |
发明人 |
田辺円;金子栄;神藤郁夫 |
分类号 |
C02F1/42;C02F1/32;C02F1/44 |
主分类号 |
C02F1/42 |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
程伟 |
主权项 |
1、一种去离子水或高纯水生产方法,其中对进水进行预处理以除去悬浮固体,借助于净化处理从该预处理后的水中除去离子的和非离子物质,其特征在于:在净化处理过程中,使上述预处理后的水与一种离子交换树脂和具有硼选择性的离子交换树脂相接触以除去上述预处理水中所含的硼,并使上述两种离子交换树脂在离子交换柱内分层或混合。 |
地址 |
日本东京 |