| 主权项 |
1.一种掩罩层,其覆盖沈积于积体电路装置之基本金属层上的低k电介质材料,用于该积体电路装置之跨连结构的建构,该掩罩层包括:(a)沈积于该低k电介质材料上的钝态掩罩薄膜;(b)沈积于该钝态掩罩薄膜上的屏障掩罩薄膜;(c)沈积于该屏障掩罩薄膜上的金属掩罩薄膜。2.如申请专利范围第1项之掩罩薄膜,其中该钝态掩罩薄膜包括二氧化矽或矽碳化物。3.如申请专利范围第1项之掩罩薄膜,其中该屏障掩罩薄膜包括矽氮化物。4.如申请专利范围第1项之掩罩薄膜,其中该金属掩罩薄膜包括耐火金属或耐火金属合金。5.如申请专利范围第4项之掩罩薄膜,其中该耐火金属是选自耐火金属群组,包括钛、钽及钨,而该耐火金属合金则是选自耐火金属合金群组,包括钛氮化物及钽氮化物。6.一种形成积体电路装置之双镶嵌跨连结构的方法,该跨连结构其有低k电介质材料,沈积于基本金属层上,该方法包括下列步骤:(a)在该低k电介质材料上形成一钝态掩罩薄膜;(b)在该钝态掩罩薄膜上形成一屏障掩罩薄膜;(c)在该屏障掩罩薄膜上形成一金属掩罩薄膜,该钝态描罩薄膜及金属掩罩薄膜形成一掩罩层,覆盖该低k电介质材料;(d)在该低k电介质材料中蚀刻一沟,至该低k电介质材料的预定深度;及(e)蚀刻一通道,穿越该低k电介质材料,至该基本金属层。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该钝态掩罩薄膜包括二氧化矽或矽碳化物。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该屏障掩罩薄膜包括矽氮化物。9.如申请专利范围第6项之方法,其中该金属掩罩薄膜包括耐火金属或耐火金属合金。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该耐火金属是选自耐火金属群组,包括钛、钽及钨,而该耐火金属合金则是选自耐火金属合金群组,包括钛氮化物及钽氮化物。11.如申请专利范围第6项之方法,进一步包括在该金属掩罩薄膜上形成一光阻层的步骤,在该光阻层中定型一沟图形,蚀刻一沟穿越该金属掩罩薄膜及该屏障掩罩薄膜,至该钝态掩罩薄膜。12.如申请专利范围第6项之方法,进一步包括在该低k电介质材料上形成一光阻层的步骤,并在该光阻层中定型一通道图形。13.一种形成积体电路装置之跨连结构的方法,该积体电路装置具有沈积于基本金属层上之低k电介质材料,及沈积于该低k电介质材料上之掩罩层;而该掩罩层具有关于该低k电介质材料之所需时蚀刻选择性;该方法包括形成一金属薄膜,作为该掩罩层之一部分的步骤,以提升关于该低k电介质层之该掩罩层的蚀刻选择性。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该金属薄膜包括耐火金属或耐火金属合金。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该耐火金属是选自耐火金属群组,包括钛、钽及钨,而该耐火金属合金则是选自耐火金属合金群组,包括钛氮化物及钽氮化物。16.如申请专利范围第13项之方法,进一步包括在该电介质材料上形成一钝态掩罩薄膜,及在该钝态掩罩薄膜上形成一屏障掩罩薄膜的步骤,而且该金属薄膜是在该屏障掩罩薄膜上形成。17.如申请专利范围第15项之方法,其中该钝态掩罩薄膜包括二氧化矽或矽碳化物。18.如申请专利范围第15项之方法,其中该屏障掩罩薄膜包括矽氮化物。19.如申请专利范围第13项之方法,进一步包括下列步骤:在该低k电介质材料中蚀刻一沟,至该低k电介质材料的预定深度;蚀刻一通道,穿越该低k电介质材料,至该低k电介质材料的基本金属层;及在该通道及该沟中沈积一传导金属。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该传导金属沈积于该通道及该沟外部的积体电路晶片上,而该方法进一步包括下列步骤:抚平该积体电路晶片,以及移除该多余的传导金属、该金属掩罩层及该屏障掩罩薄膜。图式简单说明:图1至4描绘使用双镶嵌程序之跨连结构的习知技术建构。图5至9描绘使用双镶嵌程序之跨连结构的习知技术建构,其中一掩罩层沈积于电介质层及光阻层之间。图10至15描绘使用本发明之跨连结构的双镶嵌建构。 |
