| 主权项 |
1.一种用以量测霍尔效应之装置,包括有:一样本支架,一样本被安装在其上;一样本容器,其与该样本支架设置在一起;一永久性磁铁支架,其中一对永久性磁铁互相面对的设置,该永久性磁铁支架是可附上地及可分离地耦接于该样本容器,使得该样本被置放在该对磁铁之间;及一霍尔电压量测装置,用以施加一电流至该样本及量测由该样本输出的一霍尔电压。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该样本容器具有用来供应一热交换材料之一热交换材料供应洞。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该样本容器包括有可以固定多数个样本之一IC插座。4.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该样本容器包括有:一上盖,一样本支架被安装在其上;及一底盖,与该上盖连接,其中该底盖之底面的一部份是被一垫座所支撑,该垫座具有一对由该垫座之一端部延伸及设置在该底座之底面的另一部份之下之一对导轨,用以导引该永久性磁铁支架之移动。5.如申请专利范围第4项所述之装置,其中该永久性磁铁支架包括有:一对固定部,该对永久性磁铁被固定在其上;及一连接部,用以连接该对固定部及将该对固定部维持一固定的间距。6.如申请专利范围第4项所述之装置,其中该底盖包括有型成在它的内表面之一热隔离物质。7.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该样本容器包括有:一顶盖体,一样本支架被固定在其上及一热交换材料供应洞被形成在其中;一热交换材料容器,具有用来容收该热交换材质之一接收空间;一对导板,设置在该热交换材质容器之两侧边;及一垫座,用以支撑该热交换材质容器及该对导板。8.如申请专利范围第7项所述之装置,其中该永久性磁铁支架在该垫座上被移动以包围该热交换材料容器及该对导板于其中。9.如申请专利范围第7项所述之装置,其中该热交换材料容器包括有热隔离材料。10.如申请专利范围第7项所述之装置,其中该样本容器包括有交叉型成在它的容收空间及与该容收空间之底面间隔一预定距离之一隔离肋。11.如申请专利范围第7项所述之装置,其中该样本容器包括有注入在该容收空间之内的一U型热隔离材质,该U型热隔离材质具有可以与该热交换材料供应洞沟通之一端部及该样本置放在另一端上。12.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该霍尔电压量测装置包括有:一定电流供应单元,用以供应一电定流至该样本的数个端子之中所选择之二端子及用以变化该定电流之位准;一霍尔电压侦测单元,用以侦测由该样本之未被选择的二端子所输出之一霍尔电压及输出该被侦测的霍尔电压;一切换单元,用以依据一使用者的操作施加该定电流供应单元之一输出电流之该被选择的二端子,及用以输出该未被选择的二端子之霍尔电压至该霍尔电压侦测单元;一电流侦测单元,用以侦测该定电流供应单元输出至该样本之该定电流之位准;及一输出电压侦测单元,用以依据该定电流供应单元输出至该样本之定电流来侦测该样本的输入电压。13.如申请专利范围第12项所述之装置,更包括有一量测误差侦测装置,用以使用依据该定电流供应单元输出至该样本之定电流决定的该样本的输入电压位准来侦测该样本之量测误差。14.如申请专利范围第13项所述之装置,其中该量测误差侦测单元包括有:一电压侦测单元,用以侦测依据该定电流供应单元输出至该样本之定电流决定的该样本的输入电压位准;及一比较器,用以比较该电压侦测单元之输出电压与一预定电压,及决定是否有量测误差。15.如申请专利范围第12项所述之装置,其中该霍尔电压量测装置包括有:多数个类比至数位转换器,用以转换该霍尔电压侦测单元,该输入电压侦测单元及该电流侦测单元之输出信号成为数位信号;一微处理器,用以控制该切换单元之切换操作,利用由该电流侦测单元所输出及由该类比至数位转换器所转换的数位信号来决定该定电流供应单元之输出电流及,调整该设定定电流之输出,控制多数个定电流,及使用由该霍尔电压侦测单元及该输入电压侦测单元所输出及由该类比至数位转换器所转换之一数位信号来计算一霍尔系数关数値,及显示计算后的霍尔系数相关数値;一指令输入单元,用以依据该使用者的操作输入操作命令至该微处理器;及一显示单元,用以依据该微处理器之控制来显示该霍尔效应之计算后数値。16.如申请专利范围第15项所述之装置,其中该霍尔电压量测装置包括有:一个人电脑,藉由控至该微处理器来设定该定电流,测量该霍尔电压及该输入电压,及藉由输入该被量测的霍尔电压及输入电压来计算该霍尔电压系数相关数値;及一介面单元,设置在该微处理器及该个人电脑之间,用以在其等之间介面传送资料。17.一种用以量测一霍尔系数之方法,包括有步骤:a)输入一定电流来加在一样本,一磁通密度及该样本之厚度;b)调整该定电流位准,使的该被输入定电流被供应至该样本;c)依次设定该样本的四个端子成为二输入端及二输出端,及在调整该定电流的极性时,量测由该样本输出的一霍尔电压及该样本的输出电压;d)向前插入一永久性磁铁支架,依次设定该样本之输入端及输出端,及调整该定电流之极性来量测由该样本所输出的霍尔电压及该样本的输入电压;e)反向插入一永久性磁铁支架,依次设定该样本之输入端及输出端,及调整该定电流之极性来量测由该样本所输出的霍尔电压及该样本的输入电压;及f)将在步骤c)至e)所量测到的数値代入一预定方程式及显示一霍尔系数相关数値。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该步骤f)包括有依据该使用者的操作来改变该磁通密度及该样本厚度,使用该样本之该被改变的磁通密度及该被改变的样本厚度再一次计算该霍尔系数相关数値,及显示该计算后的霍尔系数相关数値。19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中如果该使用者设定在手动模式,施加在该样本之定电流,该样本之磁通密度及厚度,该样本之霍尔电压及输入电压被输入,一霍尔系数相关数値被加以计算及该计算后的霍尔系数相关数値被显示。图式简单说明:第1图是显示根据本发明之一实施例用以量测一霍尔效应之一装置之透视图。第2图是根据本发明之一实施例用以量测该霍尔效应之装置中的一样本容器及一永久性磁铁支架之透视图。第3A及3B图是根据本发明之一实施例用以量测该霍尔效应之装置中,用来解释该永久性磁铁支架之操作之侧视图。第4图是根据本发明之另一实施例用以量测该霍尔效应之装置之透视图。第5图是根据本发明之另一实施例用以量测该霍尔效应之装置中的一样本容器及一永久性磁铁支架之爆炸透视图。第6A至6D图是根据本发明之另一实施例用以量测该霍尔效应之装置中用以解释该永久性磁铁支架之操作之平面视图;第7A至7C图是根据本发明之一实施例用以量测该霍尔效应之装置中的一热交换材料容器之不同的范例之剖视图。第8图是使用在根据本发明用以量测该霍尔效应之装置之一霍尔电压量测单元之一较佳实施例之电路图。第9图是第8图中一切换单元之电路图。第10图是使用在根据本发明用以量测该霍尔效应之装置之一霍尔电压量测单元之另一较佳实施例之电路图。第11A至11C图是根据本发明用以量测该霍尔效应之方法,在第10图中所示之一微处理器之操作之信号流程图;及第12图是根据本发明之该霍尔电压量测单元之再一较佳实施例之电路图。 |
