HIGH-FREQUENCY OSCILLATOR FOR AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND THE USE THEREOF

摘要

Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Oszillator für eine integrierte Halbleiterschaltung und dessen Verwendung. Der Hochfrequenz-Oszillator (30) ist Bestandteil der Halbleiterschaltung (10) die eine erste Siliziumschicht (12), eine sich anschliessende Siliziumdioxidschicht (Isolierschicht (14)) und eine nachfolgende weitere Siliziumschicht (Struckturschicht) 16)) umfasst (SOI-Wafer), wobei der Hochfrequenz-Oszillator (30) (a) einen Resonator (24) mit einem in der Strukturschicht (16) angeordneten, metallisierten Zylinder (18) aus Silizium und einer den Zylinder (18) im Bereich der Schicht (12) überdeckenden Ankopplungsscheibe (28) sowie (b) eine über eine Ausnehmung (38) der Ankopplungsscheibe (28) mit dem Zylinder (18) des Resonators (24) in Verbindung stehende Impatt-Diode (32) umfasst.