| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft eine dotierte oder undotierte Zinkoxid-Schicht (9a, 9b, 9c) sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben durch Gasphasenabscheidung auf ein Substrat (10a, 10b, 10c). Eine der Fläschen (Atomebene), wleche die geringste Oberflächenenergie hat, wird oberflächenparallel zur Geometrie des Substrates wachsen, wenn das Substrat eine höhere Oberflächenergie als ZnO (0001) Kristallfläche aufweist und/oder wenn man die Prozessparameter so einstellt, dass ein 2D-laterales Schichtwachstum realisiert werden kann.</p> |
