Verfahren zur Herstellung lagegenauer großflächiger Membranmasken

摘要

Auf der Basis eines vorhandenen oder herzustellenden mehrschichtigen Halbleiter (1)-Isolator (2)-Halbleiterträgerschicht (3)-Substrats (SOI-Substrat) werden die inhomogenen, zu unerwünschten Verzeichnungen führenden mechanischen Spannungen in der Halbleiterschicht (1) vor deren Strukturierung wenigstens teilweise in einen homogenen Zustand überführt. Dazu wird entweder ein zusätzlicher Schichtaufbau auf einem vorhandenen SOI-Substrat oder ein veränderter Schichtaufbau bei der Herstellung des SOI-Substrats oder beides vorgesehen.