发明名称 |
减小图案间隙或开口尺寸的方法 |
摘要 |
一种减小图案间隙或开口尺寸的方法,其在基底与具有图案的罩幕层上形成一层大致共形的材料层,以减小罩幕层图案的间隙或开口尺寸。当此罩幕层为一蚀刻罩幕层时,其所定义的待蚀刻层图案的间隙或开口尺寸即得以缩小。另外,蚀刻罩幕层上形成的材料层的厚度也可大于待蚀刻层上形成的材料层的厚度,以增加蚀刻罩幕层的抗蚀刻能力。 |
申请公布号 |
CN1417643A |
申请公布日期 |
2003.05.14 |
申请号 |
CN01131388.9 |
申请日期 |
2001.10.29 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
钟维民;蔡信谊;梁明中 |
分类号 |
G03F7/09;G03F7/20;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/09 |
代理机构 |
北京集佳专利商标事务所 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
1.一种减小图案间隙或开口尺寸的方法,其特征为:包括下述步骤:提供一基底;在该基底上设一具有图案的罩幕层;在该具有图案的罩幕层上,设一层图案与该罩幕层相似的材料层,并控制该材料层于该罩幕层的上方与侧壁,形成一预定的第一厚度,而位于该基底上的该材料层的厚度在一可接受的范围内;以及以该罩幕层与该材料层所构成的图案为罩幕,对该基底进行蚀刻。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |