| 主权项 |
1.一种记忆胞,其包括:-一个基板(2);-一个沟渠(3),其具有:下部区(4)、中央区(5)、上部区(6)及内壁(7)且配置在基板(2)中;-一个隔离领(8),其在中央区(5)中配置在沟渠(3)之内壁(7)上;-一种介电质层(9),其至少配置在沟渠(3)之下部区(4)中;-一种导电性沟渠填料(10),其至少一部份填入此沟渠(3)之下部区(4)和中央区(5)中;-一种磊晶生长之层(11),其在沟渠(3)之上部区(6)中配置在沟渠(3)之内壁(7)且配置在导电性沟渠填料(10)上;其特征为:-须配置一种隔离沟渠(13),使其围绕此记忆胞(1)及相邻之记忆胞(16)且在记忆胞(1)及相邻之记忆胞(16)之间形成一种已掺杂之主动区(17),-在沟渠(3)之上部区(6)中在磊晶生长之层(11)上方配置一种具有内部开口(13)之第二介电质层(12)。2.如申请专利范围第1项之记忆胞,其中在磊晶生长之层(11)上在第二介电质层(12)下方配置第三介电质层(14)。3.如申请专利范围第1或第2项之记忆胞,其中该磊晶生长之层(11)具有:下部掺杂区(18),其连接至导电性沟渠填料(10);及上部掺杂区(19),其连接至主动区(17)。4.如申请专利范围第1项之记忆胞,其中位元线(20)在主动区(17)上方延伸且与主动区(17)相接触。5.如申请专利范围第4项之记忆胞,其中此位元线(20)由介电质封罩(21)所封闭。6.如申请专利范围第1项之记忆胞,其中玻璃层(22)配置在基板(2)上方。7.如申请专利范围第1或2项之记忆胞,其中闸极材料(23)配置在第三介电质层(14)上且至少到达第二介电质层(12)之内部开口(13)。8.如申请专利范围第7项之记忆胞,其中闸极端(28)配置在闸极材料(23)上且经由第二介电质层(I2)之内部开口(13)及经由玻璃层(22)而延伸至字元线(24)。9.如申请专利范围第8项之记忆胞,其中闸极端(28)以自我对准方式而形成。10.如申请专利范围第8项之记忆胞,其中字元线在位元线(20)上方延伸。11.如申请专利范围第1,4或5项之记忆胞,其中电路周边具有电晶体(其包含闸极电极)且此闸极电极在一种步骤中是以位元线(20)来形成。12.如申请专利范围第1项之记忆胞,其中在沟渠(3)附近以六角形之图样形式而配置其它沟渠。13.一种记忆胞1之制造方法,其包括以下各步骤:-在基板(2)中形成一个沟渠(3),其包含:下部区(4)、中央区(5)、上部区(6)及内壁(7);-然后在中央区(5)中在沟渠(3)之内壁(7)上形成一种隔离领(8);-至少在沟渠(3)之下部区(4)中形成介电质层(9);-在沟渠(3)之下部区(4)中在介电质层(9)上且至少一部份在沟渠(3)之中央区(15)中在隔离领(8)上形成一种导电性沟渠填料(10);-然后在沟渠(3)之上部区(6)中在沟渠(3)之内壁(7)上且在该导电性沟渠填料(10)上以磊晶方式生长一种层(11);本方法之特征为:在磊晶生长此层(11)时在此层(11)中形成一个沟渠,其是以闸极材料(23)填入,且随后在沟渠(3)之上部区(6)中在磊晶生长之层(11)上方形成一种具有内部开口(13)之第二介电质层(12)。14.如申请专利范围第13项之方法,其中在磊晶生长之层(11)上在第二介电质层(12)下方形成第三介电质层(14)。15.如申请专利范围第14项之方法,其中在第三介电质层(14)上形成一种闸极材料(23),其至少到达第二介电质层(12)之内部开口(13)中。16.如申请专利范围第15项之方法,其中在基板(2)上方形成一种玻璃层(22)且形成一种自我对准之闸极端(28),其方式是在玻璃层(22)中对一种沟渠进行蚀刻,其使第二介电质层(12)之内部开口(13)裸露且第二介电质层(12)用作蚀刻遮罩使内部开口(13)之一部份被蚀刻去除直至闸极材料(23)裸露为止。图式简单说明:第1图沟渠式电容器。第2至12图依据第1图之沟渠式电容器之制程中依顺序之各步骤。第13图在第12图之后之此制程之某一时间点中沿着第23图之切线A之切面图。第14至19图依据第12图之沟渠式电容器之此制程之依序之各步骤。第20图各沟渠之配置之俯视图。第21图各主动区之配置之俯视图。第22图位元线之配置之俯视图。第23图记忆胞之配置之俯视图。第24图位元线之另一配置之俯视图。第25图记忆胞之配置之俯视图。第26图字元线之配置之俯视图。 |
