Verfahren und Vorrichtung zum numerischen Analysieren von Kornwachstum auf Halbleiterwafern unter Verwendung einer Rasterelektronenmikroskop-Abbildung

摘要

Verfahren und Vorrichtung zum numerischen Analysieren eines Wachstumsgrads von Körnern, die auf einer Oberfläche eines Halbleiterwafers aufwachsen, bei welchen der Wachstumsgrad der Körner durch einen Computer unter Verwendung einer Abbildungsdatei der Oberfläche des Halbleiterwafers, die von einem SEM abgetastet worden ist, automatisch berechnet und beziffert wird. Ein vorbestimmter Abschnitt einer Oberfläche des Wafers wird unter Verwendung des SEM abgetastet und die abgetastete SEM-Abbildung wird gleichzeitig in eine Datenbasis abgespeichert. Ein automatisches numerisches Programm sieht Maschen für einen Bildschirmanalyserahmen vor und wählt einen Analysebereich auf einer gemessenen Abbildung aus. Danach wird ein Glättungsverfahren zum Verringern eines Einschlusses von zufälligen Störungen bzw. einem Rauschen auf die jeweiligen Pixel, die durch die Maschen bestimmt worden sind, unter Verwendung eines Durchschnittswertes der Abbildungsdaten angrenzender Pixel durchgeführt. Anschließend wird aufgrund der jeweiligen Abbildungen ein Normierungsverfahren zum Entfernen von Helligkeitsdifferenzen zwischen den gemessenen Abbildungen durchgeführt. Nach einem Vergleichen normierter Abbildungsdatenwerte der jeweiligen Pixel mit einem vorbestimmten Schwellwert wird die Anzahl an Pixel, deren normierter Abbildungsdatenwert größer als der Schwellwert ist, gezählt. Der Wachstumsgrad von Körnern auf der Oberfläche des Wafers wird durch ein Beziffern eines Verhältnisses der gezählten ...