| 发明名称 |
METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR COMPONENT |
| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einer auf bzw. in einem Substrat (1) vorgesehenen mehrlagigen dielektrischen Schicht (70; 701...70n), wobei mindestens nach d Vorsehen einer der Lagen (701...70n) ein Plasmabehandlungsschritt, z.B. ein Plasmaoxidationsschritt, und/ode ein thermischer Behandlungsschritt durchgerführt wird.
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| 申请公布号 |
WO03038885(A1) |
申请公布日期 |
2003.05.08 |
| 申请号 |
WO2002EP11691 |
申请日期 |
2002.10.18 |
| 申请人 |
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发明人 |
HECHT, THOMAS;SEIDL, HARALD |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/316;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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