发明名称 | 具有贯通孔的构造体、其制造方法、及液体排出头 | ||
摘要 | 本发明公开了一种具有贯通孔的构造体、其制造方法及液体排出头,该构造体是在硅基板等的基板上设置了贯通孔,可以减少制造时的工时数,并且可以提高可靠性。由各向异性腐蚀蚀刻从基板100的里面设置贯通孔时,在基板的表侧形成成为表层的氮化硅膜,使腐蚀蚀刻液不漏到基板的表侧,为了使该氧化硅膜(104)的内部应力是压缩应力,并且是3×10<SUP>8</SUP>Pa以下,最好是由等离子CVD法形成氮化硅膜(104)。 | ||
申请公布号 | CN1415478A | 申请公布日期 | 2003.05.07 |
申请号 | CN02147067.7 | 申请日期 | 2002.10.29 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 早川幸宏;门间玄三 |
分类号 | B41J2/14;H01L21/00 | 主分类号 | B41J2/14 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张会华 |
主权项 | 1.一种构造体,具有半导体基板和设于上述半导体基板的第1主面上的氧化硅膜和氮化硅膜,具有贯通上述半导体基板和上述氮化硅膜的贯通孔;其特征在于:上述氧化硅膜配置到上述半导体基板的第1主面的除了上述贯通孔的周缘部以外的位置地形成图案,上述氮化硅膜在上述半导体基板的上述第1主面的贯通孔的周缘部与半导体基板接触地设置,上述氮化硅膜的内部应力为压缩应力,在3×108Pa以下。 | ||
地址 | 日本东京 |