| 发明名称 | 量子阱混合 | ||
| 摘要 | 一种制作包括化合物半导体结构的集成光路的方法，所述化合物半导体结构具有量子阱区域，采用光子源对该结构进行照射以产生缺陷，光子的能量(E)至少为该化合物半导体的至少一个元素的置换能(E<SUB>D</SUB>)。然后将该结构进行退火以推动量子阱混合。优选的照射源是采用电子回旋共振(ECR)系统生成的等离子体。可按不同的方式遮挡该结构，从而通过控制该结构在照射源中的暴露部分，按在空间上可控制的方式实现该结构的选择性混合。 | ||
| 申请公布号 | CN1416607A | 申请公布日期 | 2003.05.07 |
| 申请号 | CN01806266.0 | 申请日期 | 2001.03.02 |
| 申请人 | NTU企业私人有限公司 | 发明人 | 黄文秀;蓝而来;陈润全;周彦;黄玉荣 |
| 分类号 | H01S5/026;H01L21/18;H01L21/266 | 主分类号 | H01S5/026 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制作包括化合物半导体结构的集成光路的方法，所述化合物半导体结构具有量子阱区域，所述方法包括以下步骤：采用光子源对所述结构进行照射以产生缺陷，然后将所述结构进行退火以促进量子阱混合，其中所述光子的能量(E)至少为所述化合物半导体的至少一种元素的位移能(ED)。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡 | ||