| 主权项 |
1.一种化合物半导体开关电路装置,具备有:用以将在通道层表面上装设源极电极,闸极电极及汲极电极的第1,第2及第3,第4FET;与前述第1,第2FET的各源极电极或汲极电极相连接的第1,第2输入端子;与前述第3,第4FET的各源极电极或汲极电极相连接的第3,第4输入端子;与前述第1,第2FET的汲极电极或源极电极相连接的第1共通输入端子;与前述第3,第4FET的汲极电极或源极电极相连接的第2共通输入端子;前述第1,第3FET的各闸极电极及第1控制端子予以连接的连接机构;以及用以连接前述第2,第4FET的各闸极电极及第2控制端子的连接机构,并对前述第1,第2控制端子施加控制讯号。2.如申请专利范围第1项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述第1,第2及第3,第4FET,系由与前述通道层进行萧特基接触的闸极电极;与前述通道层进行欧姆接触的源极与汲极电极所构成的。3.如申请专利范围第1项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述第1,第2及第3,第4FET,系由MESFET所形成。4.一种化合物半导体开关电路装置,具备有:用以将在通道层表面上装设源极电极,闸极电极及汲极电极的第1,第2及第3,第4FET;与前述第1,第2FET的各源极电极或汲极电极相连接的第1,第2输入端子;与前述第3,第4FET的各源极电极或汲极电极相连接的第3,第4输入端子;与前述第1,第2FET的各汲极电极或源极电极相连接的第1共通输出端子;与前述第3,第4FET的汲极电极或源极电极相连接的第2共通输出端子;与前述第1,第3FET的各闸极电极及第1控制端子予以连接的连接机构;以及用以连接前述第2,第4FET的各闸极电极及第2控制端子的连接机构,在前述连接机构中,连接前述第3FET的闸极电极与前述第1控制端子的连接机构与连接前述第2FET的闸极电极与前述第2控制端子的连接机构,系分别在焊垫与FET元件之间沿着焊垫延伸配置,对前述第1,第2控制端子施加控制讯号。5.如申请专利范围第4项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述连接机构系由电阻所形成。6.如申请专利范围第4项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述连接机构的电阻系在基板上的高浓度区域中形成。7.如申请专利范围第4项之化合物半导体开关电路装置,其中,作为前述连接机构的电阻,并在焊垫与FET元件之间沿着焊垫延伸配置的任一方的电阻,系与连接前述开关元件的FET的闸极电极的金属配线相互交叉。8.如申请专利范围第4项之化合物半导体开关电路装置,其中,对应前述第1,第2输入端子的各焊垫与对应前述第3,第4输入端子的各焊垫,系按照第1,第2,第3,第4输入端子的顺序沿着晶片的一边配置在晶片周边部,对应前述第1,第2共通输出端子的各焊垫以及对应前述第1,第2控制端子的各焊垫,系按照第1控制端子,第1共通输出端子,第2共通输出端子,第2控制端子的顺序,沿着前述晶片的一边的对边配置在晶片的周边部。9.如申请专利范围第4项之化合物半导体开关电路装置,其中,对应前述第1,第2输入端子的各焊垫间的晶片周边部以及对应前述第3,第4输入端子的各焊垫间的晶片周边部,分别配置有第1,第2FET的元件部的一部份以及第3,第4FET的元件部的一部份。10.如申请专利范围第4项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述第1,第2以及第3,第4FET系由与前述通道层进行萧特基接触的闸极电极;及与前述通道层进行欧姆接触的源极与汲极电极所构成。11.如申请专利范围第4项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述第1,第2及第3,第4FET系由MESFET所形成。12.一种化合物半导体开关电路装置,具备有:用以将在通道层表面上装设源极电极,闸极电极及汲极电极的第1,第2及第3,第4FET、与前述第1,第2FET的各源极电极或汲极电极相连接的第1,第2输入端子、与前述第3,第4FET的各源极电极或汲极电极相连接的第3,第4输入端子、与前述第1,第2FET的各汲极电极或源极电极相连接的第1共通输出端子、与前述第3,第4FET的汲极电极或源极电极相连接的第2共通输出端子、与前述第1,第3FET的各闸极电极及第1控制端子予以连接的连接机构;与用以连接前述第2,第4FET的各闸极电极与第2控制端子的连接机构予以积体化的化合物半导体晶片;装设有固定前述化合物半导体晶片的导体图案的绝缘基板;对应前述化合物半导体晶片的各电极的多数外部电极;用以连接前述化合物半导体晶片的各电极与前述外部电极的连接机构;及用以被覆前述化合物半导体晶片的树脂层,而将前述外部电极对准绝缘基板的中心线而以左右对称方式配置,并使之对应前述化合物半导体晶片的各电极的位置。13.如申请专利范围第12项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述外部电极系被配置在前述绝缘基板背面。14.如申请专利范围第12项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述化合物半导体晶片为8端子元件,并具备有8个前述外部电极。15.如申请专利范围第12项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述8个外部电极,系以前述绝缘基板的中心线为中心而以左右对称方式分别配置4个,并沿着绝缘基板的一边,按照前述第1,第2输入端子以及前述第3,第4输入端子的顺序配置,另外,又沿着绝缘基板一边的对边,按照前述第1控制端子,前述第1共通输出端子,前述第2共通输出端子,前述第2控制端子的顺序配置。16.如申请专利范围第12项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述树脂层的表面,形成有可显示前述外部电极的极性的极性显示标记。17.一种化合物半导体开关电路装置,具备有:将在通道层表面上装设源极电极,闸极电极及汲极电极的第1,第2及第3,第4FET、与前述第1,第2FET的各源极电极或汲极电极相连接的第1,第2输入端子、与前述第3,第4FET的各源极电极或汲极电极相连接的第3,第4输入端子、与前述第1,第2FET的各汲极电极或源极电极相连接的第1共通输出端子,与前述第3,第4FET的汲极电极或源极电极相连接的第2共通输出端子,与前述第1,第3FET的各闸极电极与第1控制端子予以连接的连接机构;与用以连接前述第2,第4FET的各闸极电极与第2控制端子的连接机构予以积体化的化合物半导体晶片;用以埋设前述化合物半导体晶片及固定有该晶片的导体图案的绝缘树脂层;对应前述化合物半导体晶片的各电极的多数外部电极;及用以连接前述化合物半导体晶片的各电极与前述外部电极的连接机构;而将前述外部电极对准前述绝缘树脂层的中心线而以左右对称方式配置,并使之对应前述化合物半导体晶片的各电极的位置。18.如申请专利范围第17项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述外部电极系被配置在前述绝缘树脂层的背面。19.如申请专利范围第17项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述化合物半导体晶片为8端子元件,并具备有8个前述外部电极。20.如申请专利范围第17项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述8个外部电极系以前述绝缘树脂层的中心线为中心而以左右对称方式分别配置4个,并沿着前述绝缘树脂层的一边,按照前述第1,第2输入端子以及前述第3,第4输入端子的顺序配置,另外,又沿着前述绝缘树脂层的一边的对边,按照前述第1控制端子,前述第1共通输出端子,前述第2共通输出端子,前述第2控制端子的顺序配置。21.如申请专利范围第17项之化合物半导体开关电路装置,其中,前述树脂层的表面形成有可显示前述外部电极极性的极性显示标记。图式简单说明:第1图为用以说明本发明的电路图。第2图为用以说明本发明的平面图。第3图为用以说明本发明的剖面图。第4图为用以说明本发明的(A)平面图及(B)剖面图。第5图为用以说明本发明的斜视图。第6图(A)及(B)为用以说明本发明的平面图。第7图(A)至(D)为用以说明本发明的剖面图。第8图为用以说明本发明的剖面图。第9图(A)及(B)为用以说明本发明的平面图。第10图为用以说明本发明的剖面图。第11图为用以说明本发明的(A)剖面图及(B)平面图。第12图为用以说明本发明的(A)剖面图及(B)平面图。第13图为用以说明本发明的(A)剖面图及(B)平面图。第14图为用以说明本发明的(A)剖面图及(B)平面图。第15图为用以说明本发明的(A)剖面图及(B)平面图。第16图为用以说明本发明的(A)平面图及(B)剖面图。第17图为本发明之应用例显示图。第18图为用以说明先前技术的(A)剖面图及(B)电路图。第19图为用以说明先前技术的平面图。第20图为用以说明先前技术的(A)平面图及(B)剖面图。第21图为用以说明先前技术的(A)平面图及(B)剖面图。 |
