| 主权项 |
1.一种于进行硼磷矽玻璃制程时降低沈积于晶圆表面之磷的方法,其中该些晶圆表面具一硼磷矽玻璃薄膜,该方法至少包含下列步骤:从炉管进气口通入气体于该炉管中,于该炉管中形成一气流;装配该些晶圆和档片至复数个晶舟上,其中该复数个晶舟均具第一至第n个晶圆放置位置,该其中一个复数晶舟上之全部晶圆放置位置均装配档片,而其余该复数个晶舟上之第n个晶圆放置位置亦装配档片,而其余第一至第n-1个晶圆放置位置,以该些晶圆表面背对该气流方向之方式装配该些晶圆于其上;将该复数个晶舟放置于至该炉管中,其中该全部装配档片之晶舟被置于最近进气口处,而其余该复数个晶舟均以晶圆表面背对该气流方向之方式放置于至该炉管中;以及对该晶圆进行制程反应。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之气体包含选自下列之气体:氮气、惰性气体。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之硼磷矽玻璃制程可为热流或再热流制程。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之n値大小与所欲放置之晶圆数量有关。5.一种于进行硼磷矽玻璃制程时降低沈积于晶圆表面之磷的装置,其中该些晶圆表面具一硼磷矽玻璃薄膜,该装置至少包含:一炉管,该炉管至少包括一进气口可通入气体以于该炉管中形成一气流;以及复数个晶舟,具有第一至第n个晶圆放置位置,该其中一个复数晶舟上之全部晶圆放置位置均装配档片,且于制程时被置于最近该炉管进气口处,而其余该复数个晶舟上之第n个晶圆放置位置亦装配档片,而其余晶圆放置位置,于制程时该些晶圆表面背对该气流方向之方式装配该些晶圆于其上。6.如申请专利范围第5项之装置,其中上述之气体选自下列之气体:氮气、惰性气体。7.如申请专利范围第5项之装置,其中上述之硼磷矽玻璃制程可为热流或再热流制程。8.如申请专利范围第5项之装置,其中上述之n値大小与所欲放置之晶圆数量有关。图式简单说明:第一图为半导体晶片之截面图,显示根据先前技术沉积硼磷矽玻璃时,于进行热流时于硼磷矽玻璃上表面累积磷沈积物;第二图为半导体晶片之截面图,显示根据先前技术进行硼磷矽玻璃之接触窗再热流时,于接触窗内PMOS源极与汲极上表面累积磷沈积物;第三图所示为一般水平式反应炉管的概略侧视图;第四图所示为本发明水平式反应炉管的概略俯视图。 |
