| 主权项 |
1.一种可变电容,包括:一基底;一第一型式之井区,系位于该基底中,且该第一型式之井区具有一凹陷;一第一型式之埋层,位于该第一型式之井区下方之该基底中,且该第一型式之埋层与该第一型式之井区相连接;一第二型式之掺杂区,位于该第一型式之井区之该凹陷底部;以及一导体层,位于该第一型式之埋层之上,且该导体层与该第一型式之埋层相连接。2.如申请专利范围第1项所述之可变电容,更包括一第一金属矽化物层,位于该第二型式之掺杂区之表面。3.如申请专利范围第1项所述之可变电容,其中该导体层包括一第二型式之深集极区。4.如申请专利范围第3项所述之可变电容,更包括一第二金属矽化物层,位于该第二型式之深集极区之表面。5.如申请专利范围第1项所述之可变电容,其中该导体层包括一接触窗。6.如申请专利范围第5项所述之可变电容,其中该第二型式之掺杂区与该导体层系位于该基底之同一主动元件区中,且该导体层与该第二型式之掺杂区之间以一绝缘层隔绝。7.如申请专利范围第1项所述之可变电容,更包括一第二金属矽化物层,位于该第一型式之埋层与该导体层之间。8.如申请专利范围第1项所述之可变电容,更包括一隔离结构,位于该第二型式之掺杂区与该导体层之间的该第一型式之井区中。9.如申请专利范围第1项所述之可变电容,其中该第一型式之埋层为N型埋层时,该第二型式之掺杂区为P型掺杂区。10.一种可变电容,包括:一基底;一第一型式之井区,系位于该基底中,且具有一浅沟渠隔离结构;一第一型式之埋层,位于该第一型式之井区下之该基底中,且该第一型式之埋层与该第一型式之井区相连接;至少一第二型式之掺杂区,位于该浅沟渠隔离结构底部之该第一型式之井区中;以及至少一第一导体层,与该第一型式之埋层相连接。11.如申请专利范围第10项所述之可变电容,其中该第一型式之埋层为N型埋层时,该第二型式之掺杂区为P型掺杂区。12.如申请专利范围第10项所述之可变电容,更包括至少一第二导体层,与该第二型式之掺杂区相连接。13.如申请专利范围第10项所述之可变电容,更包括一金属矽化物层,位于该第一型式之埋层与该第一导体层之间。14.一种可变电容的制造方法,包括:提供一基底,该基底中已形成有一第一型式之埋层、及位于该第一型式之埋层之上且与该第一型式之埋层相连接的一第一型式之井区;于该第一型式之埋层之上的该基底中形成一导体层;移除部分该第一型式之井区,以形成未暴露该第一型式之埋层的至少一第一开口;以及于该第一开口底部之该第一型式之井区中形成一第二型式之掺杂区。15.如申请专利范围第14项所述之可变电容的制造方法,其中该导体层系于该第一开口之形成步骤之前形成,包括:于该第一型式之埋层之上的该基底中形成一第二型式之深集极区,且该第二型式之深集极区与该第一型式之埋层相连接。16.如申请专利范围第14项所述之可变电容的制造方法,其中该导体层系于该第二型式之掺杂区之形成步骤之后形成,包括:移除部分该第二型式之掺杂区及位于该第二型式之掺杂区与该第一型式之埋层之间的该第一形式之井区,以形成暴露部分该第一型式之埋层之一第二开口;以及于该第二开口内形成一导电材料层。17.如申请专利范围第16项所述之可变电容的制造方法,其中该第二开口与该第一开口系位于该基底之相异的主动元件区内。18.如申请专利范围第16项所述之可变电容的制造方法,其中该第二开口与该第一开口系位于该基底之同一主动元件区内。19.如申请专利范围第16项所述之可变电容的制造方法,其中于形成该第二开口之步骤之后,更包括形成一第二隔离间隙壁。20.如申请专利范围第14项所述之可变电容的制造方法,其中于形成该第二型式之掺杂区之步骤之后,更包括分别于该第二型式之掺杂区与该导体层之表面上形成一金属矽化物层。21.如申请专利范围第14项所述之可变电容的制造方法,其中于形成该开口之步骤与形成该第二型式之掺杂区之步骤之间,更包括于该第一开口之侧壁上形成一第一隔离间隙壁。22.一种可变电容的制造方法,包括:提供一基底,该基底中已形成有一第一型式之埋层、及位于该第一型式之埋层之上且与该第一型式之埋层相连接的一第一型式之井区;于该第一型式之井区中形成一浅沟渠隔离结构;移除部分该第一型式之井区,以形成暴露该第一型式之埋层的一开口;于该基底之上形成一介电层;于该介电层中形成至少一第一接触窗开口与至少一第二接触窗开口,且该第一接触窗开口系暴露部分该金属矽化物层,该第二接触窗开口系暴露该浅沟渠隔离结构底部之该第一型式之井区;于该浅沟渠隔离结构底部之该第一型式之井区中形成一第二型式之掺杂区;以及于该第一接触窗开口与该第二接触窗开口中形成复数个接触窗。23.如申请专利范围第22项所述之可变电容的制造方法,其中该第二型式之掺杂区之形成方法包括:进行一离子掺杂步骤,以于该第二接触窗开口底部之该第一型式之井区中形成该第二型式之掺杂区。24.如申请专利范围第22项所述之可变电容的制造方法,其中该第二型式之掺杂区系于该浅沟渠隔离结构之形成步骤中形成,且第二型式之掺杂区与该浅沟渠隔离结构之形成方法包括:于该第一型式之井区中形成一浅沟渠隔离开口;进行一离子掺杂步骤,以于该浅沟渠隔离开口底部之该第一型式之井区中形成该第二型式之掺杂区;以及于该浅沟渠隔离开口中形成该浅沟渠隔离结构。25.如申请专利范围第24项所述之可变电容的制造方法,更包括于该浅沟渠隔离开口中形成一衬层。26.如申请专利范围第22项所述之可变电容的制造方法,其中于该开口之形成步骤与该介电层之形成步骤之间,更包括于暴露之该第一型式之埋层表面形成一金属矽化物层。27.如申请专利范围第26项所述之可变电容的制造方法,其中于该开口之形成步骤与该金属矽化物层之形成步骤之间,更包括于该开口之侧壁上形成一隔离间隙壁。图式简单说明:第1A图至第1D图所示为本发明之第一较佳实施例之可变电容的制造流程之剖面示意图。第2A图至第2E图所示为本发明之第二较佳实施例之可变电容的制造流程之剖面示意图。第3A图至第3F图所示为本发明之第三较佳实施例之可变电容的制造流程之剖面示意图。第4A图至第4G图所示为本发明之第四较佳实施例之可变电容的制造流程之剖面示意图。第5A图至第5H图所示为本发明之第五较佳实施例之可变电容的制造流程之剖面示意图。第6图所示为习知之可变电容的结构之剖面示意图。 |
