| 主权项 |
1.一种具有寄生接地电容之多层式频带分隔器,其至少具有一高频信号及一低频信号之操作频带分隔之能力,该多层式频带分隔器包括:一准高通滤波器(quasi-highpass filter),具有形成十字排列(cross shaped)之三电容元件及一接地电感元件之配置,用以作为该高频信号输出路径(passage),其中一电容元件系利用其它二电容元件形成之寄生接地电容;一相位移器(phase shifter),与该准高通滤波器并联,用以提供该低频信号输出路径;及一半集总式低通滤波器(semi-lumped lowpass filter),串接该相位移器,用以在不增加滤波器阶数下即得到较高的外频抑制度(outband rejection)。2.如申请专利范围第1项之多层式频带分隔器,其中,该三电容元件及一接地电感元件之配置系为一连接输入信号之第三电容器、一其一端连接该第三电容器而另一端接地之第四电容器、一其一端接地而另一端连接该第三电容器及该第四电容器交接点之电感性元件及一其一端连接该第三、该第四电容器及该电感性元件交接点而另一端连接一第二输出端以产生一高频输出信号之第二电容器。3.如申请专利范围第1项之多层式频带分隔器,其中,该相移位器系一连接至输入信号之传输线元件。4.如申请专利范围第1项之多层式频带分隔器,其中,该半集总式低通滤波器包括一其一端连接该相位移位器未连接输入信号之一端而另一端连接一第一输出端以产生一低频输出信号之阻抗性元件及一跨接在该阻抗性元件上之第一电容器。5.如申请专利范围第1项之多层式频带分隔器,其中,该低频信号之操作频带系为900MHz。6.如申请专利范围第1项之多层式频带分隔器,其中,该高频信号之操作频带系为1800MHz。7.如申请专利范围第1项之多层式频带分隔器,其中,该高频信号之操作频带系为1900MHz。图式简单说明:第1图系一传统多层式频带分隔器;第2图系一第1图之电路响应(circuit response)之特性曲线(characteristics)图;第3图系另一传统多层式频带分隔器;第4图系一第3图之电路响应(circuit response)之特性曲线(characteristics)图;第5图系一本发明具有寄生接地电容之多层式频带分隔器;第6图系一第3图之电路响应(circuit response)之特性曲线(characteristics)图;及第7(a)-7(h)图系一第3图之电路布局示意图。 |
