InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺

摘要

涉及一种半导体器件，尤其是一种将光信号转换为电信号的InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺。为i－InP顶层/i－In_0.53Ga_0.47As光敏层/i－InP缓冲层/N⁺－InP衬底四层双异质结材料结构。在顶层中有P⁺锌扩散层，P⁺锌扩散层靠近i－In_0.53Ga_0.47As光敏层，但没有到达光敏层；工艺步骤为：在外延片上生长氧化铝钝化膜，以锌作为扩散源进行开管锌扩散；用直接蒸发的方法在InP材料上淀积高质量的氧化铝薄膜，暗电流降低，信噪比提高，容易制备、成本低廉、结构改进，可在较低温度下连续、简便进行开管锌扩散新工艺，以及此膜可用于InP材料饨化膜和锌扩散的屏蔽掩膜，也可用于InP材料的抗反射膜，提高探测器的性能。

主权项

1、nGaAs/InP PIN光电探测器，其特征在于为i-InP顶层/i-In0.53Ga0.47As光敏层/i-InP缓冲层/N+-InP衬底四层双异质结材料结构，即设有N+-InP衬底，在N+-InP衬底上为一层非掺杂的InP缓冲层，在缓冲层上为与InP晶格相互匹配的非掺杂的i-In0.53Ga0.47As光敏层，顶层为非掺杂的i-InP层；在顶层中有P+锌扩散层，P+锌扩散层靠近i-In0.53Ga0.47As光敏层，但没有到达光敏层；在顶层表面为钝化膜，所说的钝化膜为顶层表面生长的一层Al2O3膜；在扩散区和钝化膜上制备P型欧姆接触层膜；衬底的底层为N型欧姆接触层。