Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

In dieser Halbleiterspeichervorrichtung ist in der Isolierschicht (2A) ein Potentialklemmbereich (3A) ausgebildet, in dem keine Isolierschicht ausgebildet ist. Genauer gesagt ist der Potentialklemmbereich (3A) unterhalb des Substratabschnitts (4) an einer einem ersten Dotierungsbereich (6) naheliegenden Stelle ausgebildet und erstreckt sich bis zu einer ersten Halbleiterschicht (1). Im Grenzbereich zwischen dem Substratabschnitt (4) und dem Potentialklemmbereich (3A) ist ein Substratfixierbereich (5) ausgebildet. Dieser Aufbau ermöglicht in dem Fall, in dem eine DRAM-Zelle mit einem SOI-Aufbau (Silicon on Insulator = Silizium auf Isolator) ausgebildet ist, eine Verbesserung der Betriebseigenschaften, ohne die Layoutfläche zu vergrößern.