发明名称 焊球下层金属层制造方法
摘要 本发明提供一种焊球下层金属层(Under-Bump Metallurgy Layer,UBM Layer)制造方法,其系提供一溅镀遮罩(sputter mask)于一晶圆上,并利用溅镀遮罩为遮罩,而以溅镀法于晶圆上快速形成一焊球下层金属层。
申请公布号 TW529143 申请公布日期 2003.04.21
申请号 TW090129882 申请日期 2001.12.03
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈世光;许志祥
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 许峻荣 新竹市民族路三十七号十楼
主权项 1.一种焊球下层金属层(Under-Bump Metallurgy Layer, UBMLayer)制造方法,系用以于一晶圆上形成一焊球下层金属层,包含:提供一溅镀遮罩(sputter mask);使该溅镀遮罩置于该晶圆上;以及利用该溅镀遮罩为遮罩以溅镀法于该晶圆上形成该焊球下层金属层。2.如申请专利范围第1项所述之焊球下层金属层制造方法,其中该溅镀遮罩具有一图案,该图案与该焊球下层金属层之图案相同。3.如申请专利范围第1项所述之焊球下层金属层制造方法,其中该焊球下层金属层包含复数个金属层。4.如申请专利范围第1项所述之焊球下层金属层制造方法,其中该溅镀遮罩系一铜板(steel plate)。图式简单说明:图1A至图1C为示意图,显示习知技术中形成焊球下层金属层之晶圆的局部剖面图。图2A至图2C为示意图,显示于依本发明较佳实施例之焊球下层金属层制造方法中晶圆的局部剖面图。
地址 高雄市楠梓区加工出口区经三路二十六号
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