| 主权项 |
1.一种镀铜陶瓷基材,其包含:一层陶瓷基材层;一层乾薄膜铬层于陶瓷基材上一层乾薄膜金层于薄膜铬层上;以及一层镀铜层于薄膜金层上。2.如申请专利范围第1项之基材,其中陶瓷基材层系由选自氧化铝、氮化铝及碳化矽组成的组群之陶瓷制成。3.如申请专利范围第1项之基材,其中选自镍、钼、钨、钛及银组成的组群之金属置于薄膜铬层与薄膜金层间。4.如申请专利范围第1项之基材,其中镀铜层系藉无电或电镀制成。5.如申请专利范围第1项之基材,其中于陶瓷基材层两侧上,分别形成薄膜铬层、薄膜金层及铜镀层。6.一种佩堤叶(Pertier)元件,其包括如申请专利范围第1项之镀铜陶瓷基材,一个导体及/或一个半导体。7.一种制造镀铜陶瓷基材之方法,该方法包含下列步骤:于陶瓷基材层上形成一层乾薄膜铬层;于薄膜铬层上形成一层乾薄膜金层;以及使用铜镀层薄膜金层。8.如申请专利范围第7项之方法,其中陶瓷基材层系由选自氧化铝、氮化铝及碳化矽组成的组群之陶瓷制成。9.如申请专利范围第7项之方法,其中选自镍、钼、钨、钛及银组成的组群之金属置于薄膜铬层与薄膜金层间。10.如申请专利范围第7项之方法,其中镀铜层系藉无电或电镀制成。11.如申请专利范围第7项之方法,其中铬及金层系藉真空沉积、阴极溅镀以及化学气相沉积制成。图式简单说明:第1图为根据本发明之镀铜陶瓷基材之第一具体实施例之放大剖面图;第2图为根据本发明之镀铜陶瓷基材之第二具体实施例之放大剖面图;以及第3图为施用根据本发明之镀铜陶瓷基材之佩堤叶元件之放大剖面图。 |
