发明名称 叠层陶瓷电容器及其制造方法
摘要 为求叠层陶瓷电容器的小型且大容量化,而进行介电体层的薄层化,并增加介电体层的层数时,每单位厚度的电场强度也会随之变大,使得内部电极间的绝缘变得易于受到破坏,造成叠层陶瓷电容的寿命缩短,衍生出寿命缩短的问题。本发明的叠层陶瓷电容,系将复数的介电体层与复数的内部电极叠层成一体,其中的介电体层包含陶瓷颗粒的烧结体,且该陶瓷颗粒为固溶体、或具有结晶性的芯部及围绕在该芯部的壳部:而固溶体的陶瓷颗粒中、或具有芯壳构造的陶瓷颗粒的该芯部及壳部中,含有不均匀分布之Mn、V、Cr、Mo、Fe、Ni、Cu及Co等其中的一种或二种以上的元素、或稀土族元素等的添加物元素。
申请公布号 TW529047 申请公布日期 2003.04.21
申请号 TW090103069 申请日期 2001.02.13
申请人 太阳诱电股份有限公司 发明人 茶园 广一;静野 寿光;岸 弘志
分类号 H01G4/12 主分类号 H01G4/12
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种叠层陶瓷电容器,其系由复数的介电体层及复数的内部电极交互叠层,并形成一对外部电极与该复数的内部电极连接,其中该介电体层包括陶瓷颗粒及存在于该陶瓷颗粒间的粒界部,而在该陶瓷颗粒中,含有主成份化合物及浓度分布不均匀的添加物元素,上述主成分化合物系钛酸钡,上述添加物元素系Mn、V、Cr、Mo、Fe、Ni、Cu及Co等其中的一种或二种以上之元素者,或Ho、Sc、Y、Gd、Dy、Er、Yb、Tb、Tm及Lu等其中的一种或二种以上的稀土族元素者。2.根据申请专利范围第1项之叠层陶瓷电容器,其中上述陶瓷颗粒,系具有结晶性的芯部及围绕在该芯部的壳部所构成者。3.根据申请专利范围第1项之叠层陶瓷电容器,其中上述陶瓷颗粒系固溶体所构成者。4.根据申请专利范围第2项之叠层陶瓷电容器,其中上述芯部含有添加物元素的浓度,系由该芯部中心向上述壳部逐渐增加。5.根据申请专利范围第2项之叠层陶瓷电容器,其中上述壳部含有添加物元素的浓度,系由芯部壳部边界向该粒界部逐渐增加。6.根据申请专利范围第3项之叠层陶瓷电容器,其中上述陶瓷颗粒含有添加物元素的浓度,系由该陶瓷颗粒中心向该位界部逐渐增加。7.根据申请专利范围第2项之叠层陶瓷电容器,其中上述壳部系含有Mg者。8.根据申请专利范围第3项之叠层陶瓷电容器,其中上述陶瓷颗粒系含有Zr者。9.根据申请专利范围第1项至第6项中任一项之叠层陶瓷电容器,其中上述陶瓷颗粒间的粒界部系充填有玻璃成份者。10.一种叠层陶瓷电容器的制造方法,其包含原料调制步骤,其系调制陶瓷原料者;薄膜形成步骤,其系利用上述原料调制步骤的陶瓷原料,形成陶瓷生胚薄膜者;印刷步骤,其系在上述薄膜形成步骤的陶瓷生胚薄膜上,印刷内部电极图案者;叠层步骤,其系将经过上述印刷步骤处理的陶瓷生胚薄膜,加以叠层成叠层体者;切割步骤,其系依个别内部电极图案,将上述叠层步骤的叠层体切割成晶片状的叠层体者;及烧成步骤,其系对上述切割步骤的晶片状叠层体进行烧成者,其中上述的原料调制步骤,系包括了在上述陶瓷原料的主成份化合物中,添加添加物元素的步骤,上述主成份化合物系钛酸钡,上述添加物元素系Mn、V、Cr、Mo、Fe、Ni、Cu及Co等其中的一种或二种以上之元素者,或Ho、Sc、Y、Gd、Dy、Er、Yb、Tb、Tm及Lu等其中的一种或二种以上的稀土族元素者。11.根据申请专利范围第10项之叠层陶瓷电容器的制造方法,其中将添加物元素添加至上述陶瓷原料的主成份化合物中的步骤,系藉由将添加物元素的化合物混入上述陶瓷原料的主成份化合物之原料化合物中,进行合成或烧成者。12.根据申请专利范围第10项之叠层陶瓷电容器的制造方法,其中上述原料调制步骤系包括了对上述陶瓷原料的主成份化合物之原料化合物进行预烧后,将添加物元素的化合物混入其中的步骤。13.根据申请专利范围第12项之叠层陶瓷电容器的制造方法,其中在上述陶瓷原料主成份化合物中混入MgO进行预烧。14.根据申请专利范围第10项之叠层陶瓷电容器的制造方法,其中上述烧成步骤系包含在非氧化性环境中进行上述晶片状叠层体的烧成后,在氧化性环境中进行烧成之再氧化步骤。15.根据申请专利范围第10项至13项中任一项之叠层陶瓷电容器的制造方法,其中上述陶瓷原料系含有玻璃成份者。图式简单说明:图1,本发明之叠层陶瓷电容器中,形成其介电体层的陶瓷颗粒之芯部,所含有之受体型元素的浓度分布之说明图。图2,本发明之叠层陶瓷电容器中,形成其介电体层的陶瓷颗粒之壳部,所含有之受体型元素及稀土族元素的浓度分布之说明图。图3,本发明之叠层陶瓷电容器中,形成其介电体层的固溶体陶瓷颗粒中,所含有之受体型元素的浓度分布之说明图。
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