| 主权项 |
1.一种半导体雷射元件结构,尤指能够工作在稳态的单横模(single transverse mode)之面射型雷射;该结构包括:一基底一叠在基底上的多晶结构,该结构具有一下分散式布拉格反射镜(DBR)、一下披覆层或填空层、一发光主动层、一上披覆层或填空层、一上分散式布拉格反射镜(DBR)、一在所述的多晶层结构中形成带有孔径的组成混合吸收区(disordered absorber),该组成混合吸收区具有所述上或下分散式布拉格反射镜(DBR)3%到95%的厚度;一主动区在所述发光主动层形成,它的中心对准所述组成混合吸收区的孔径;一正型电极和一负型电极分别地在一p型和一n型晶层形成。2.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件结构,其中该具有孔径的组成混合吸收区(disordered absorber)是由高浓度掺质的环状体(torus)形成,它的掺质浓度大于51018/立方公分。3.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件结构,其中该组成混合吸收区(disordered absorber)的孔径(aperture)具有一直径或一最长对角线在1到8微米之间,或一面积在1到60平方微米之间。4.如申请专利范围第2项所述之半导体雷射元件结构,其中掺质可以由下列元素形成:锌(Zn),镁(Mg),铍(Be),锶(Sr),钡(Ba),镉(Cd),矽(Si),锗(Ge),锡(Sb),硒(Se),硫(S),鍗(Te)。5.如申请专利范围第1项所述的半导体雷射元件结构,其中该主动区具有一直径或一最长对角线在5到50微米间,或一面积在20到2000平方微米间。6.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件结构,其中该下分散式布拉格反射镜(DBR)和下披覆层(cladding layer)或填空层(spacer)是正型(p-type)材料,而上分散式布拉格反射镜(DBR)和上披覆层(cladding layer)或填空层(spacer)是负型(n-type)材料。7.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件结构,其中该下分散式布拉格反射镜(DBR)和下披覆层(cladding layer)或填空层(spacer)为负型(n-type)材料,而上分散式布拉格反射镜(DBR)和上披覆层(cladding layer)或填空层(spacer)亦可为正型(p-type)材料。8.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件结构,其中该基底是半导体材料。9.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件结构,其中该叠在基底上的多晶层结构是由半导体或介电质材料形成。10.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件结构,其中该主动区(active region)是用离子布植技术形成绝缘体,在横向(lateral)方向限制电流范围所形成。11.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件结构,其中该主动区(active region)是由氧化法形成绝缘体,在横向(lateral)方向限制电流范围所形成。12.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射元件结构,其中该主动区(active region)是由高台(mesa)结构限制电流范围所形成。图式简单说明:第一图 系为本发明具体的面射型雷射的横切面图,在上分散式布拉格反射镜有一吸收区,而主动区是用离子布植形成。第二图 系为本发明雷射的光输出功率对应电流的特性曲线图。第三图 系为本发明雷射在不同电流水平下的发射频谱图。第四图 系为本发明具体的面射型雷射的横切面图,在上分散式布拉格反射镜有一个组成混合吸收区,而主动区是用氧化形成。 |
